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STP80N20M5

更新時間:2025-05-24 16:32:57

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
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廠商
封裝/批號
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市億科泰電子科技有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢

深圳市世紀成達電子科技有限公
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市星宇佳科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)

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STP80N20M5外觀圖

STP80N20M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 61A TO-220

封裝:TO-220-3

STP80N20M5 概述

80N20M5是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。基礎(chǔ)描述方面，其最大漏源電壓(Vds)為200V，連續(xù)漏極電流(Id)可達80A（在25°C條件下），柵極至源極電壓(Vgs)為±30V。它采用了TO-220封裝形式，便于散熱設(shè)計。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、電機驅(qū)動以及各種工業(yè)電源管理系統(tǒng)。在這些應(yīng)用中，STP80N20M5能夠有效提高系統(tǒng)效率，減少能量損耗。使用建議：由于其較高的電流能力，在實際電路設(shè)計時需注意散熱設(shè)計，確保工作溫度不超過最大允許值。此外，為了充分發(fā)揮其低導(dǎo)通電阻特性，建議選擇合適的驅(qū)動電路以保證快速有效的開關(guān)動作。在電機控制應(yīng)用中，需要考慮EMI濾波措施來抑制噪聲干擾。

STP80N20M5 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP80N20M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
61A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫歐 @ 30.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
104nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4329pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-10715-5

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STP80N06
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STP80N55-08
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SR2100

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