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STP6NK50Z

更新時間:2025-05-17 20:28:33

供應(yīng)商
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終端可以免費(fèi)供樣，支持BOM配單

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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢

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中揚(yáng)電子（深圳）有限公司
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深圳市世紀(jì)成達(dá)電子科技有限公
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STP6NK50Z外觀圖

STP6NK50Z

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220

封裝:TO-220-3

STP6NK50Z 概述

STP6NK50Z是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達(dá)6A，非常適合于高頻開關(guān)電源、電動機(jī)控制和逆變器等電路中。在實(shí)際應(yīng)用中，STP6NK50Z常用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和AC-DC適配器中作為主開關(guān)管。由于其低柵極電荷特性，可以顯著降低開關(guān)損耗，提高整體效率。使用時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)，確保柵極電壓足夠高以完全開啟MOSFET，同時也要注意散熱設(shè)計(jì)，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。對于初學(xué)者來說，建議參考官方提供的應(yīng)用筆記進(jìn)行電路設(shè)計(jì)和調(diào)試。

STP6NK50Z 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STP6NK50Z View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
SuperMESH™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.2 歐姆 @ 2.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
24.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
690pF @ 25V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-4385-5

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廣東微爾科技有限公司

STP6NK50Z推薦型號

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STP6NK50Z
STP601D
STP607D
STP60L60A
STP60N03
STP60N0514
STP60N06
STM8S003F3P6TR

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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