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STD7NM80-1

更新時間:2025-06-29 10:29:48

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代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應

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深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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中揚電子（深圳）有限公司
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深圳市世紀成達電子科技有限公
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深圳市廣弘電子有限公司
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STD7NM80-1外觀圖

STD7NM80-1

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK

封裝:TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

STD7NM80-1 概述

STD7NM80-1是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為800V，在25℃下連續(xù)漏極電流可達7A。典型應用包括開關電源、適配器、照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器以及電機驅(qū)動等場景。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻以抑制振蕩，推薦值為10Ω左右。對于高壓應用場合，需確保漏源之間有適當?shù)木彌_電路來吸收尖峰電壓。設計PCB時應盡量縮短源極引線長度，減小寄生電感影響。若用于電機驅(qū)動，應注意散熱設計，保證器件工作溫度不超過最大額定值。

STD7NM80-1 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD7NM80-1 View All Specifications
標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.05 歐姆 @ 3.25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
620pF @ 25V
功率 - 最大
90W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件
其它名稱
497-12787-5STD7NM80-1-ND

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STD7NM80-1推薦型號

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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