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STB70NF3LLT4

更新時間:2025-07-03 18:38:04

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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深圳市科鑫美電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

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深圳市華美銳科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市南科功率半導體有限公司
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公司現(xiàn)貨只做原裝

深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市世紀成達電子科技有限公
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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深圳市吉翰電子有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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STB70NF3LLT4外觀圖

STB70NF3LLT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB70NF3LLT4 概述

STB70NF3LLT4是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用SMD封裝，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為4.5V時最大導通電阻僅為28mΩ，這有助于降低開關(guān)損耗并提高能效。該器件的最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃下可達70A。此MOSFET適用于多種電源管理應用，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動等場合。在實際應用中，需注意其工作溫度范圍，確保不超過規(guī)定的極限值以避免損壞。當用于電機驅(qū)動電路時，應合理設計散熱措施，保證良好的熱傳導性能來維持穩(wěn)定運行。同時要關(guān)注柵極驅(qū)動信號的完整性，防止因信號抖動或噪聲干擾導致開關(guān)狀態(tài)不穩(wěn)定。

STB70NF3LLT4 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STB70NF3LL View All Specifications
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
70A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.5 毫歐 @ 35A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1650pF @ 25V
功率 - 最大
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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STB70NF03
STB70NF03LT4
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STB75NF75
S210

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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