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STB42N65M5

更新時間:2025-07-16 04:12:41

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STB42N65M5外觀圖

STB42N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB42N65M5 概述

STB42N65M5是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件專為高效功率轉換應用而設計，最大漏源電壓(VDS)可達650V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為42A。其低導通電阻(RDS(on))有助于減少導通損耗，提高系統效率。該MOSFET適用于開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器以及工業(yè)驅動等應用場景。由于其高擊穿電壓和良好的熱性能，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定工作。此外，它還具有快速開關特性，能夠進一步提升電源轉換系統的整體性能。在實際應用中，需注意柵極驅動電路的設計以確保可靠開啟和關閉MOSFET。

STB42N65M5 規(guī)格參數

其它有關文件
STB42N65M5 View All Specifications
產品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
特色產品
MDmesh V Series Mosfets
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
79 毫歐 @ 16.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4650pF @ 100V
功率 - 最大
190W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-8769-6

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