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SGD06N60

更新時間:2025-07-04 14:36:13

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SGD06N60 概述

SGD06N60是由韓國半導體制造商Silicon Mitus生產(chǎn)的一款高壓MOSFET。該器件采用了先進的溝槽柵極技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓（VDS）為600V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃時可達6A，適用于高功率密度設計。典型應用場景包括電源適配器、LED驅動器、工業(yè)控制設備中的開關電源以及家用電器的電機驅動電路。由于其優(yōu)化的開關性能和較低的導通損耗，有助于提高整體系統(tǒng)效率，減少熱損耗。在實際應用中，建議搭配合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并注意PCB布局應盡量減小寄生電感，避免振蕩現(xiàn)象。對于需要EMI抑制的應用，建議在柵極路徑添加RC緩沖電路。

SGD06N60 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SGx06N60
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
NPT
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.4V @ 15V，6A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
12A
功率 - 最大
68W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
PG-TO252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
SP000011995

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