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RZF030P01TL

更新時間:2025-05-27 05:29:27

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨只做原廠原裝優(yōu)勢庫存自家?guī)齑?/p>

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原裝現(xiàn)貨，可以開票

北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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RZF030P01TL外觀圖

RZF030P01TL

ROHM Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

封裝:3-SMD，扁平引線

RZF030P01TL 概述

RZF030P01TL是羅姆半導體（ROHM Semiconductor）生產(chǎn)的一款低導通電阻的N溝道MOSFET。該器件采用緊湊型SOT-23FL封裝，適用于需要高效功率轉換和管理的應用場景。其典型應用包括智能手機、平板電腦等便攜式設備中的電源管理電路，如DC-DC轉換器、負載開關和電池保護電路。在實際應用中，由于RZF030P01TL具有低柵極電荷和低導通電阻特性，可以有效減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率。設計時需注意其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達1.2A，確保工作條件在此范圍內(nèi)以保證器件可靠運行。建議在PCB布局時盡量減小源極和柵極走線長度，以減少寄生電感影響，優(yōu)化高頻性能。此外，在選擇柵極驅動電阻時要考慮到開關速度與EMI之間的平衡。

RZF030P01TL 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
39 毫歐 @ 3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1860pF @ 6V
功率 - 最大
800mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-SMD，扁平引線
供應商設備封裝
TUMT3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
RZF030P01TLTR

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