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RSS075P03TB

更新時間:2025-07-03 13:09:46

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封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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RSS075P03TB外觀圖

RSS075P03TB

ROHM Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 30V 7.5A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

RSS075P03TB 概述

RSS075P03TB是羅姆半導體(ROHM)生產(chǎn)的一款低導通電阻的P溝道MOSFET。該器件采用小型SOT-23封裝，具有7.5V的漏源擊穿電壓和高達-3.1A的連續(xù)漏極電流能力，適用于各種便攜式設備和空間受限的應用場景。典型應用場景包括電源管理、負載開關以及電池保護電路等。在使用時應注意其最大功耗限制，避免因過熱導致性能下降或損壞。由于是P溝道MOSFET，在設計驅動電路時需要考慮適當?shù)臇艠O驅動電壓以確?？煽块_啟和關閉。建議在實際應用中結合具體電路需求選擇合適的外圍元件參數(shù)，并進行充分測試以驗證功能和可靠性。

RSS075P03TB 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
ECOMOS? Series MOSFETs
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
21 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2900pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOP
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
RSS075P03TB-NDRSS075P03TBTR

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RTL8188ETV

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