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RSR025N03TL

更新時間:2025-06-12 04:49:02

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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RSR025N03TL外觀圖

RSR025N03TL

ROHM Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

RSR025N03TL 概述

RSR025N03TL是羅姆半導體(ROHM)生產(chǎn)的一款低導通電阻N溝道MOSFET。該器件采用先進的溝槽結構工藝制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，有助于降低開關損耗并提高效率。其最大漏源電壓為30V，適合用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。這款MOSFET廣泛應用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關電路以及電池保護電路中。例如，在便攜式電子設備如智能手機和平板電腦中，它常被用來優(yōu)化電源管理模塊的設計，提升設備的整體能效比。在使用時應注意避免超過其最大額定值，并且要根據(jù)實際工作環(huán)境選擇合適的散熱措施以確保長期穩(wěn)定運行。

RSR025N03TL 規(guī)格參數(shù)

產(chǎn)品培訓模塊
MOSFETs
標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫歐 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
4.1nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
165pF @ 10V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
TSMT3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
RSR025N03TL-NDRSR025N03TLTR

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