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RQ3E150GNTB

更新時間:2025-06-02 06:45:56

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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假一罰十，原裝進(jìn)口現(xiàn)貨供應(yīng)，長期供貨

深圳市港博科電子有限公司
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10000
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提供一站式配單服務(wù)

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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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優(yōu)勢渠道現(xiàn)貨,提供一站式配單服務(wù)

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只做原裝,提供一站式配套服務(wù)，BOM表秒報

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深圳市賽美科科技有限公司
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一級代理品牌，價格優(yōu)勢，原廠原裝，量大可以發(fā)貨訂

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市廣運(yùn)誠科技有限公司
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特價現(xiàn)貨，提供BOM配單服務(wù)

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原裝現(xiàn)貨

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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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5000
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/
原裝正品，配單能手

深圳市騰樁電子有限公司
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Rohm Semiconductor
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市華威信達(dá)科技有限公司
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3505
ON Semiconductor
/2023+
原裝，提供BOM服務(wù)

深圳市力拓輝電子有限公司
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HSMT8/25+
全新原裝鄙視假貨

現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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NEW/NEW
一級代理保證

深圳市賽思爾科技有限公司
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ON Semiconductor
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原裝現(xiàn)貨長期供應(yīng)

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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8000
Rohm Semiconductor
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限
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80000
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一級代理，原廠排單到貨，可開原型號13%專用發(fā)票

深圳市匯萊威科技有限公司
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一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126

深圳市馳源科技有限公司
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一站式配單，只做原裝

深圳斯普侖科技有限公司
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NCH 30V 20A 61mOhm HSMT8/-
十年芯程，只做原裝

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8500
Rohm Semiconductor
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原裝現(xiàn)貨

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柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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5000
ON Semiconductor
/25+
提供BOM一站式配單服務(wù)

深圳市金嘉銳電子有限公司
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16000
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HSMT8/2025+
原裝有貨

深圳市訊順達(dá)科技有限公司
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8300
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原裝現(xiàn)貨，配單小能手

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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9000
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市創(chuàng)芯友科技有限公司
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6000
PHILIPS
QFN48/23+
原裝，提供一站式配單服務(wù)

深圳市力拓輝電子有限公司
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100
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HSMT8/21+
-

深圳市得捷芯城科技有限公司
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7764
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HSMT8(3.2x3)/23+
原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號開票

深圳市華美銳科技有限公司
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3000
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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只做原裝，原廠原裝。合作共贏

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深圳市鵬翔新科技有限公司
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優(yōu)勢國外原裝現(xiàn)貨2周，價優(yōu)

深圳市博洋芯微電子有限公司
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RQ3E150GNTB 概述

RQ3E150GNTB是瑞薩電子生產(chǎn)的一款MOSFET管。該型號屬于低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)的N溝道MOSFET，采用小型表面貼裝封裝，非常適合空間受限的應(yīng)用場景。在電路設(shè)計中，它常用于電源管理模塊，例如DC-DC轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)等場合。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。由于具有較快的開關(guān)速度，能夠減少開關(guān)過程中的能量損失，因此在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。使用時需要注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，確保達(dá)到完全開啟狀態(tài)所需的電壓值。在PCB布局上要特別關(guān)注源極和漏極走線的設(shè)計，盡量縮短走線長度以減少寄生電感的影響。對于熱設(shè)計方面，應(yīng)根據(jù)實際工作電流和散熱條件合理選擇散熱方式，保證器件在安全溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

RQ3E150GNTB 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
19,963現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
6.1 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），17.2W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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RTL8101E

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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