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Q8006VH4TP

更新時間:2025-05-20 03:07:05

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Q8006VH4TP 概述

Q8006VH4TP是Fairchild Semiconductor公司（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓(VDS)可達600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為8A。這款MOSFET常用于交流-直流(AC-DC)和直流-直流(DC-DC)轉換器、適配器、LED驅動器以及工業(yè)控制設備中。由于其優(yōu)秀的熱性能和電氣特性，能夠有效提高電源轉換效率并減小系統(tǒng)尺寸。在實際應用中需注意柵極驅動電路的設計，以確保MOSFET可靠開啟和關閉。

Q8006VH4TP 規(guī)格參數

標準包裝
750
類別
分離式半導體產品
家庭
三端雙向可控硅開關
系列
-
三端雙向可控硅開關類型
可控硅 - 無緩沖器
電壓 - 斷路
800V
電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）
6A
電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）
1.3V
電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm)
55A，65A
電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）
35mA
電流 - 維持(Ih)
35mA
配置
單一
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商設備封裝
TO-251（V-Pak/I-Pak）
包裝
管件

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