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PUMH11,115

更新時間:2025-07-13 09:58:36

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PUMH11,115外觀圖

PUMH11,115

NXP Semiconductors 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式

TRANS PREBIASED DUAL NPN SOT363

封裝:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

PUMH11,115 概述

PUMH11,115是Nexperia公司生產(chǎn)的一款雙路通用晶體管陣列。它包含兩個獨立的npn晶體管，采用SOT363封裝，具有超小尺寸的特點，非常適合高密度表面貼裝應用。每個晶體管的集電極-發(fā)射極電壓為45V，集電極電流為100mA。該器件廣泛應用于模擬開關、信號放大和低功耗數(shù)字電路中。其典型應用場景包括手持設備、汽車電子系統(tǒng)以及工業(yè)控制裝置中的信號處理和功率管理功能。由于其緊湊的封裝設計和良好的電氣特性，在需要多通道晶體管的應用中表現(xiàn)出色。在使用時應注意遵循標準的SMD焊接工藝，以避免因過熱損壞器件。建議在設計PCB布局時留出足夠的散熱空間，并按照制造商提供的推薦焊盤設計進行布線。當用于驅(qū)動感性負載時，應考慮增加適當?shù)谋Ｗo電路。

PUMH11,115 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
NXP - I2C Interface
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
系列
-
晶體管類型
2 個 NPN 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100mA
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
50V
電阻器 - 基極 (R1)（歐）
10k
電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）
10k
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
30 @ 5mA，5V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
150mV @ 500µA，10mA
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
頻率 - 轉(zhuǎn)換
-
功率 - 最大
300mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商設備封裝
6-TSSOP
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
568-5041-6

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