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PBSS4350T

更新時間:2025-06-07 05:24:33

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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匯融科技/價格給力/實單必成

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原廠發(fā)貨進口原裝微信同步QQ893727827

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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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PBSS4350T 概述

PBSS4350T是Nexperia公司生產(chǎn)的一款P溝道增強型MOSFET，采用SOT223封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，最大漏源電壓為-30V，在VGS=-4.5V時典型導通電阻僅為17mΩ。其內(nèi)部集成的肖特基二極管有助于提高開關性能并減少反向恢復電荷。該MOSFET廣泛應用于電源管理電路中，如負載開關、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池充電管理系統(tǒng)。在便攜式設備、工業(yè)控制以及汽車電子等領域也有廣泛應用。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要滿足開啟要求，推薦在實際應用中添加適當?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定工作。建議在PCB設計時優(yōu)化走線布局，減小寄生電感對開關性能的影響。

PBSS4350T 規(guī)格參數(shù)

安裝類型
表面貼裝
寬度
1.4mm
封裝類型
TO-236AB
尺寸
1 x 3 x 1.4mm
引腳數(shù)目
3
晶體管類型
NPN
最低工作溫度
-65 °C
最大功率耗散
1200 mW
最大發(fā)射極-基極電壓
5 V
最大基極-發(fā)射極飽和電壓
1.2 V
最大直流集電極電流
2 A
最大集電極-發(fā)射極電壓
50 V
最大集電極-發(fā)射極飽和電壓
0.37 V
最大集電極-基極電壓
50 V
最小直流電流增益
100 V
最高工作溫度
+150 °C
最高工作頻率
100 MHz
每片芯片元件數(shù)目
1
類別
雙極小信號
配置
單
長度
3mm
高度
1mm

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