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NTP5412NG

更新時間:2025-06-11 01:19:36

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NTP5412NG外觀圖

NTP5412NG

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB

封裝:TO-220-3

NTP5412NG 概述

NTP5412NG是安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高性能雙N溝道MOSFET。該器件采用TSSOP-8封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于需要高效功率轉換的應用場合。主要應用于直流-直流轉換器、負載開關、電源管理模塊等場景。其低導通電阻可減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率；快速開關速度有助于減小開關損耗，提升整體性能。在實際應用中，建議關注柵極驅動電壓的選擇，以確保MOSFET能夠充分開啟。設計時需注意散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)具體應用場景選擇合適的PCB布局，盡量縮短源極到地的路徑，減少寄生電感影響。

NTP5412NG 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
85nC @ 0V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3220pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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