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NTD50N03RT4G

更新時間:2025-07-07 10:34:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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NTD50N03RT4G外觀圖

NTD50N03RT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD50N03RT4G 概述

NTD50N03RT4G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為30V，在室溫下連續(xù)漏極電流可達50A，非常適合用于直流-直流轉換器、負載開關及電池管理等功率控制應用中。在實際應用時，此款MOSFET通常被部署于需要高效電能轉換的電路中。例如，在筆記本電腦和平板電腦的電源管理系統(tǒng)里，它能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)整體效率。使用過程中需要注意柵極驅動電壓的選擇以確保MOSFET完全開啟，并且合理布局PCB走線減少寄生電感影響。同時，在設計時要考慮足夠的散熱措施來維持器件工作溫度處于安全范圍內。

NTD50N03RT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
25V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
7.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
12 毫歐 @ 30A，11.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 11.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 12V
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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