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NTD3055L104

更新時間:2025-06-28 15:13:15

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝，現(xiàn)貨庫存0755-23947658

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NTD3055L104外觀圖

NTD3055L104

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD3055L104 概述

NTD3055L104是由ON Semiconductor生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種電源管理應用。其主要應用場景包括直流電機驅(qū)動、負載開關(guān)以及各類需要高效功率控制的電路中。由于其具備良好的熱穩(wěn)定性和較高的最大漏極電流能力，特別適合于工業(yè)控制設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換模塊。在實際應用中，建議關(guān)注柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟或關(guān)閉MOSFET。設(shè)計時需考慮適當?shù)纳岽胧⒏鶕?jù)具體的工作條件調(diào)整外圍元件參數(shù)以優(yōu)化性能。例如，在H橋電機驅(qū)動電路里，可以利用這款MOSFET來實現(xiàn)對電機正反轉(zhuǎn)的有效控制。注意在高頻應用場合下評估其開關(guān)損耗，保證系統(tǒng)整體效率。

NTD3055L104 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
104 毫歐 @ 6A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
440pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設(shè)備封裝
DPAK-3
包裝
管件

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NTD3055L104G
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NTD3055-094
NTD3055-094G
NUP2105LT1G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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