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NCP5359ADR2G

更新時間:2025-05-16 05:27:33

供應商
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市硅諾電子科技有限公司
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深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司
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進口原裝現(xiàn)貨供應，原裝假一罰十

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

深圳市宏世佳電子科技有限公司
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深圳市永貝爾半導體有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

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深圳市拓億芯電子有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，假一賠十

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NCP5359ADR2G外觀圖

NCP5359ADR2G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關

IC MOSFET GATE DVR DUAL 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NCP5359ADR2G 概述

NCP5359ADR2G是一款由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的高性能低壓差線性穩(wěn)壓器。該器件專為需要高精度和低噪聲電源的應用而設計，適用于消費類電子、工業(yè)控制及汽車電子等領域。該穩(wěn)壓器的最大輸入電壓為28V，輸出電壓范圍可調，典型應用中能提供高達500mA的輸出電流。其內置過流保護、過熱關斷等多重保護功能，確保在惡劣環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。NCP5359ADR2G采用SOT-23-5封裝，體積小巧，適合空間受限的設計方案。應用場景包括便攜式設備、手持儀器儀表以及對電源穩(wěn)定性要求較高的模擬電路供電系統(tǒng)。在實際應用中，建議在輸入端添加適當?shù)臑V波電容以提高抗干擾能力，在輸出端也需配置合適的儲能電容來保證負載瞬態(tài)響應性能。設計時還需注意散熱處理，特別是在大電流輸出場合下要確保良好的PCB布局和導熱路徑。

NCP5359ADR2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
集成電路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關
系列
-
配置
高端和低端，同步
輸入類型
PWM
延遲時間
10ns
電流 - 峰
-
配置數(shù)
1
輸出數(shù)
2
高端電壓 - 最大（自引導啟動）
30V
電源電壓
10 V ~ 13.2 V
工作溫度
0°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NCP5359ADR2G-NDNCP5359ADR2GOSTR

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