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BC858CLT1G

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  • 大小：112.6KB
  • 廠家：ONSEMI
  • 描述：ON Semiconductor [General Purpose Transistors]
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
  • 類別：分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭：晶體管(BJT) - 單路
  • 系列：-
  • 晶體管類型：PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：30V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：420 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換：100MHz
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：BC858CLT1GOSTR
BC858CLT1G 相關(guān)信息
  • BC858CLT1G的技術(shù)參數(shù)
    產(chǎn)品型號:BC858CLT1G類型:PNP集電極－發(fā)射集最小雪崩電壓Vceo(V):-30集電極最大電流Ic(max)(mA):-100直流電流增益hFE最小值(dB):420直流電流增益hFE最大值(dB):800最小電流增益帶寬乘積Ft(MHz):100封裝/溫度(℃):3SOT-23/-55~150價格/1片(套):￥.20 來源:零八我的愛
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