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BC856ALT1G

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  • 大?。?22.8KB
  • 廠家：ON Semiconductor
  • 描述： TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:300mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:250mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:125; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:225mW; Power Dissipation Ptot Max:300mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:
  • 標準包裝：3,000
  • 類別：分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭：晶體管(BJT) - 單路
  • 系列：-
  • 晶體管類型：PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）：100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：65V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）：-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)：125 @ 2mA，5V
  • 功率 - 最大：225mW
  • 頻率 - 轉換：100MHz
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應商設備封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝：帶卷 (TR)
  • 其它名稱：BC856ALT1GOSTR
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