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RFD14N05

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封裝/批號
說明
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深圳市中天譽誠科技有限公司
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RFD14N05外觀圖

RFD14N05

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

RFD14N05 概述

RFD14N05是銳駿半導體生產的一款N溝道增強型功率MOSFET。它采用先進的溝槽工藝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為4.5V時典型導通電阻僅為0.038Ω。該器件最大漏極電流可達14A，最大漏源電壓為50V，適用于多種高效直流轉換器、電機驅動電路和電源管理應用。在直流-直流轉換器中，RFD14N05能夠實現(xiàn)高效的能量轉換，減少熱損耗；在電機驅動電路里，憑借其快速開關特性和低導通電阻，有助于提高整體系統(tǒng)效率并減小散熱需求。設計時需注意其最大工作電壓不要超過額定值，并且要根據(jù)實際電流要求合理選擇封裝形式以確保良好的散熱性能。例如，在簡單的降壓（Buck）電路中，可將此MOSFET作為控制開關使用，搭配合適的電感和電容來穩(wěn)定輸出電壓。

RFD14N05 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
50V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 14A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 20V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
570pF @ 25V
功率 - 最大
48W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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