深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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型號(hào) | 供應(yīng)商 | 庫(kù)存 | 品牌 | 單次最多申領(lǐng)數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領(lǐng) | |
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LM1117T-5.0 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TO220 | 電源/穩(wěn)壓器 | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117-2.5 |
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深圳市太古半導(dǎo)體有限公司 | 110545 | SWIRE/太古 | 10 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117-1.8 |
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深圳市太古半導(dǎo)體有限公司 | 122544 | SWIRE/太古 | 10 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117-ADJ |
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深圳市太古半導(dǎo)體有限公司 | 999999 | SWIRE/太古 | 10 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM111J-8/883 模擬比較器 TI/德州儀器 |
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深圳市紐迪斯貿(mào)易有限公司 | 100 | TI | 1 | CDIP8 | 集成電路(IC)-其他IC | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117S-3.3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117GS-ADJ |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117S-ADJ |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMP-1.2/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMP-1.8/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MK-5.0/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-89 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MK-3.3/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-89 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMP-5.0/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | S0T-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-1.8/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MK-ADJ/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-89 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MDT-ADJ/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 5000 | HGSEMI(華冠) | 5 | TO-252-2 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117S-3.3/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 1200 | HGSEMI(華冠) | 5 | TO-263-3 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MDT-3.3/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 2500 | HGSEMI(華冠) | 5 | TO-252-2 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-1.2/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 3790 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117T-3.3 |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 6710 | HGSEMI(華冠) | 5 | TO-220-3 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-3.3/TR |
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深圳市華明微電子科技有限公司 | 15000 | HGSEMI(華冠) | 5 | SOT-223 | 集成電路(IC) | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司 | 15000 | 優(yōu)尚 | 20 | SOT-223 | 電源IC-穩(wěn)壓IC | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-3.3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117RS-3.3 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117DTX-5.0/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117DT-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IDTX-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117DTX-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TO-252 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-ADJNOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-ADJ/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-50NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-5.0/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-5.0 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-33NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-25NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-2.5/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-18NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MPX-1.8/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-ADJ/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-5.0/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-2.5/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-1.8/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117MP-1.8 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-ADJNOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-ADJ/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-5.0/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-5.0 |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | SOT-223 | 場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET | 掃碼申領(lǐng) |