深圳市宏捷佳電子科技有限公司
HC5050SARGBW4C-W601 BHUFGDRHYNK
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| 型號 | 供應商 | 庫存 | 品牌 | 單次最多申領數(shù)量(片) | 封裝工藝 | 元件分類 | 申領 | |
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| SI3586DV |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585DV-T1 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TSOT-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585CDV |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMSEMI/杰盛微 | 5 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3586DV |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585DV-T1 |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TSOT-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585CDV |
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司 | 300000 | JSMICRO/深圳杰盛微 | 5 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585CDV-T1-GE3 |
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司 | 3000 | 優(yōu)尚 | 20 | TSOP-6-6-1.5mm | 場效應管MOSFET-MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3588DV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3586DV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| SI3585DV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |
| Si3585CDV-T1-GE3 |
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深圳市南科功率半導體有限公司 | 100 | NK/南科功率 | 10 | TSOP-6 | 場效應管MOSFET | 掃碼申領 |