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IXTP02N50D

更新時間:2025-05-16 02:34:04

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IXTP02N50D外觀圖

IXTP02N50D

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 200MA TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP02N50D 概述

IXTP02N50D是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導高頻開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及逆變器等應用場合。在電路設計中，它通常被用作主開關管，能夠在高電壓（最高可達500V）下工作，并且能夠承受較大的電流。其低柵極電荷使得驅(qū)動變得簡單高效，減少了開關損耗。對于需要緊湊設計的電源系統(tǒng)，這款MOSFET是一個理想的選擇，因為它可以在不犧牲效率的情況下縮小散熱器尺寸或者完全省去散熱器。使用時應注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的Rds(on)，同時注意防止靜電損壞柵極。在實際電路中，可以配合合適的驅(qū)動IC來優(yōu)化性能。例如，在同步整流電路中，正確設置死區(qū)時間以避免直通電流是非常重要的。

IXTP02N50D 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
耗盡模式
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
30 歐姆 @ 50mA，0V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
-
輸入電容 (Ciss) @ Vds
120pF @ 25V
功率 - 最大
1.1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件
配用
EVLB001-ND - KIT EVAL DIMMABLE LIGHT BALLAST

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