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IXTH30N50L

更新時(shí)間:2025-05-16 15:39:08

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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IXTH30N50L外觀圖

IXTH30N50L

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 30A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH30N50L 概述

IXTH30N50L是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓大功率MOSFET，采用TO-247封裝。這款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時(shí)為30A。該元件廣泛應(yīng)用于不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、逆變器以及各種工業(yè)電源管理系統(tǒng)中。在實(shí)際應(yīng)用中，為了確保穩(wěn)定運(yùn)行，需注意其散熱設(shè)計(jì)，推薦使用合適的散熱片或冷卻系統(tǒng)。對于電路設(shè)計(jì)，應(yīng)合理選擇柵極驅(qū)動(dòng)電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，避免過沖和振鈴現(xiàn)象。此外，在PCB布局時(shí)要盡量縮短源極引線長度以減少寄生電感的影響。

IXTH30N50L 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
10200pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH10P50
IR2111

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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