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IXFX32N80P

更新時(shí)間:2025-06-16 20:10:46

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
IXFX32N80P
BOM配單
誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務(wù)
上傳BOM

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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IXFX32N80P外觀圖

IXFX32N80P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247

封裝:TO-247-3

IXFX32N80P 概述

IXFX32N80P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具備低導(dǎo)通電阻和高擊穿電壓特性，最大漏源電壓Vds可達(dá)800V，連續(xù)漏極電流Id為32A。這種MOSFET特別適用于高壓、大功率的應(yīng)用場(chǎng)景，如開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及工業(yè)控制設(shè)備中。在應(yīng)用時(shí)，建議在柵極串聯(lián)一個(gè)小電阻以抑制振蕩，并確保散熱設(shè)計(jì)合理以維持器件在安全工作溫度范圍內(nèi)。電路設(shè)計(jì)中應(yīng)注意PCB布局，盡量減小寄生電感的影響。此外，在高頻應(yīng)用場(chǎng)合要特別關(guān)注MOSFET的開關(guān)損耗，可通過優(yōu)化驅(qū)動(dòng)電路來降低損耗提高效率。使用時(shí)還應(yīng)參考官方提供的最新數(shù)據(jù)手冊(cè)以獲取詳細(xì)參數(shù)及應(yīng)用指南。

IXFX32N80P 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
270 毫歐 @ 16A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
8800pF @ 25V
功率 - 最大
830W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PLUS247?-3
包裝
管件

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