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IXFN94N50P2

更新時間:2025-05-16 08:14:08

供應商
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廠商
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詢價

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IXFN94N50P2 概述

IXFN94N50P2是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達94A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。適用于開關電源、電機驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)等高壓高頻應用場合。在電機驅(qū)動電路中，建議使用適當?shù)纳崞饕源_保有效散熱，并且在柵極串聯(lián)小電阻來抑制振蕩現(xiàn)象。設計時需注意其最大工作電壓與電流不要超過額定值，以免造成器件損壞。

IXFN94N50P2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
6現(xiàn)貨320Factory
系列
HiPerFET?, PolarP2?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
68A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
55 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 8mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
13700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SOT-227B
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC

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廣東微爾科技有限公司

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