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IXFN44N80P

更新時間:2025-05-22 21:07:11

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市華普冠科電子科技有限公
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只做原裝

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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南京芯科利電子科技有限公司
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深圳市博偉奇電子有限公司
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無錫固電半導體股份有限公司
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5000
isc/固電半導體
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昆山隆誠翔電子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應

深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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IXFN44N80P外觀圖

IXFN44N80P

IXYS FET

MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN44N80P 概述

IXFN44N80P是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用TO-264封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓可達800V，連續(xù)漏極電流為44A，適用于高功率密度應用場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、電機驅動以及工業(yè)控制設備中的高壓電路。在實際應用中，建議確保柵極驅動電路設計合理，以充分發(fā)揮其高速開關性能，并且要注意散熱設計，保證器件工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，應選擇合適的柵極電阻來優(yōu)化開關速度和EMI性能。

IXFN44N80P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
39A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
200nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
12000pF @ 25V
功率 - 最大
694W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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