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IRLZ24NSTRLPBF

更新時間:2025-05-17 15:36:44

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市科鑫美電子有限公司
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TO263/21+
原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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現(xiàn)貨常備庫存京北通宇商城可查價格

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深圳市漢威信息技術有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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深圳市科翼源電子有限公司
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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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IRLZ24NSTRLPBF外觀圖

IRLZ24NSTRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRLZ24NSTRLPBF 概述

IRLZ24NSTRLPBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用堅固的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為55V，連續(xù)漏極電流可達36A，適合用于DC-DC轉換器、電機驅動以及電源管理電路中。封裝形式為D2PAK，便于表面貼裝工藝。在實際應用中，建議確保柵極驅動電壓足夠以達到最佳導通狀態(tài)，并注意散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。此款MOSFET常用于消費電子、工業(yè)控制等領域，尤其適合對效率要求較高的場合。

IRLZ24NSTRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
480pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRLZ24NSTRLPBF-NDIRLZ24NSTRLPBFTR

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IRLZ14PBF
IRLZ14S
IRLZ14SPBF
IRLZ24
IRLZ24A
IRLZ24N
ISO124P

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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