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IRFZ46NSTRLPBF

更新時間:2025-05-30 08:47:07

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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IRFZ46NSTRLPBF外觀圖

IRFZ46NSTRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRFZ46NSTRLPBF 概述

IRFZ46NSTRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為55V，適合用于直流-直流轉換器、電機驅(qū)動以及電源管理電路中。在電機驅(qū)動應用中，它可以有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時需注意散熱設計，避免過熱導致性能下降或損壞。對于高頻應用，需仔細選擇柵極電阻以優(yōu)化開關特性。在實際電路設計中，通常與控制IC配合使用來實現(xiàn)精確的功率控制。

IRFZ46NSTRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
53A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
16.5 毫歐 @ 28A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1696pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRFZ46NSTRLPBF-NDIRFZ46NSTRLPBFTR

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IRFZ14STRLPBF
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