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IRFSL33N15D

更新時間:2025-05-19 16:21:19

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市芯享勢成科技有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機(jī)構(gòu)檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨原盒原包

深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

深圳螢美電子科技有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市科祥威電子科技有限公司
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深圳市群川盛達(dá)電子有限公司
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QCW/群川微完美代用進(jìn)口質(zhì)量國產(chǎn)價格

深圳市吉銘貿(mào)易有限公司
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深圳市世紀(jì)成達(dá)電子科技有限公
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深圳市詮華科技有限公司
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現(xiàn)貨如非原裝假一罰十

深圳市程信達(dá)偉業(yè)電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

北京睿宸齊芯科技有限公司
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IPAK/TO262/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢渠道

深圳市創(chuàng)芯友科技有限公司
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得捷（深圳）商貿(mào)有限公司
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深圳市科亞奇科技有限公司
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深圳市安桐派科技有限公司
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IRFSL33N15D外觀圖

IRFSL33N15D

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 150V 33A TO-262

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

IRFSL33N15D 概述

IRFSL33N15D是由英飛凌科技生產(chǎn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能。其最大漏極-源極電壓為150V，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這款MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域，如直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)以及高頻開關(guān)電源中。其緊湊的封裝形式有助于提高功率密度并簡化散熱設(shè)計。在實際應(yīng)用中，建議關(guān)注柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確保最佳的開關(guān)特性，并且注意PCB布局以優(yōu)化熱性能和電磁兼容性。例如，在同步整流電路中使用時，應(yīng)合理設(shè)置死區(qū)時間避免直通電流損壞器件。

IRFSL33N15D 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
150V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
56 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2020pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-262
包裝
管件
其它名稱
*IRFSL33N15D

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