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IPB06N03LBG

更新時間:2025-07-04 01:06:44

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說明
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深圳市天芯半導體科技有限公司
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得捷（深圳）商貿有限公司
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IPB06N03LBG 規(guī)格參數(shù)

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
9.3 m Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-263
封裝
Reel
下降時間
4 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
83 W
上升時間
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典型關閉延遲時間
25 ns

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