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HUF76013D3ST

更新時間:2025-07-05 20:42:35

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詢價

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HUF76013D3ST外觀圖

HUF76013D3ST

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 20V 20A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

HUF76013D3ST 概述

HUF76013D3ST是一款由ON Semiconductor（安森美半導體）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的Surface-Mount DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于多種電源管理應用。典型應用場景包括負載開關、電池充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及需要高效功率轉(zhuǎn)換的便攜式電子設備中。在實際應用中，由于其低柵極電荷特性，HUF76013D3ST能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關操作，從而減少開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。設計時應注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關性能，并確保PCB布局良好散熱。對于負載開關應用，建議在源極和漏極之間添加適當?shù)木彌_電路以抑制瞬態(tài)電壓尖峰。此外，在進行PCB布線時，應盡量縮短高頻節(jié)點間的距離，以降低寄生電感的影響。

HUF76013D3ST 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
624pF @ 20V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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