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HGTG30N60C3D

更新時間:2025-06-17 01:41:34

供應商
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說明
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HGTG30N60C3D外觀圖

HGTG30N60C3D

Fairchild Semiconductor IGBT - 單路

IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247

封裝:TO-247-3

HGTG30N60C3D 概述

HGTG30N60C3D是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產的一款高性能IGBT晶體管。該器件采用第三代場截止溝槽技術，專為高頻開關應用設計，具有低導通損耗和開關損耗特性。此款IGBT適用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、焊接設備以及各種功率轉換系統(tǒng)等場景。其最大集電極-發(fā)射極電壓為600V，能承受較高的電壓應力，在工業(yè)級溫度范圍內保持穩(wěn)定性能。在實際應用中，需注意適當的散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內。建議使用合適的柵極驅動電路來優(yōu)化開關速度并減少損耗。對于高頻率應用場合，應仔細選擇柵極電阻值以平衡開關速度與電磁干擾（EMI）。典型電路設計中，常與反并聯(lián)二極管配合使用以實現能量回饋功能。

HGTG30N60C3D 規(guī)格參數

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
150
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.8V @ 15V，30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
63A
功率 - 最大
208W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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