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FQP12P10

更新時間:2025-06-17 02:39:45

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詢價

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斯耐爾（深圳）科技有限責任公
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深圳市捷美創(chuàng)芯電子科技有限公
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FQP12P10外觀圖

FQP12P10

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220

封裝:TO-220-3

FQP12P10 概述

FQP12P10是飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，適用于多種電源管理應用。此款MOSFET的最大漏極-源極電壓為100V，在柵極驅動電壓為10V時，其最大導通電阻僅為0.16歐姆，有助于降低電路功耗。該元件廣泛應用于DC-DC轉換器、電機驅動、負載開關等場景中。在實際使用時，需注意其最大工作電壓和電流不能超過規(guī)格書規(guī)定值，以避免損壞器件。設計電路時，應確保柵極驅動信號足夠強以充分開啟MOSFET，并且要注意散熱設計，防止因過熱導致性能下降或失效。對于高頻應用，還需關注其寄生電容對電路的影響。

FQP12P10 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
290 毫歐 @ 5.75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
27nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
75W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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