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FQD24N08TM

更新時間:2025-05-21 19:50:33

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深圳市君云達電子科技有限公司
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只做原裝進口現貨，專注配單

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105000
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原廠代理終端免費提供樣品

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深圳市世紀成達電子科技有限公
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回收此型號FQD24N08TM

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深圳市科鑫美電子有限公司
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9000
Fairchild/ON
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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3000
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FQD24N08TM外觀圖

FQD24N08TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD24N08TM 概述

FQD24N08TM是由Fairchild Semiconductor（現已被ON Semiconductor收購）生產的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為80V，在柵極驅動電壓為10V時，典型導通電阻僅為0.06Ω。適用于需要高效功率轉換與控制的應用場景，如直流電機驅動、電源管理以及各種工業(yè)自動化設備中的開關電路。在應用中建議注意柵極驅動電路的設計，確保提供足夠的驅動電壓以達到最佳的導通性能。同時，在高頻率應用場合要特別關注寄生電感和電容的影響，以避免不必要的開關損耗和電磁干擾問題。對于電源轉換電路設計，推薦使用合適的散熱措施來保證器件的穩(wěn)定運行。

FQD24N08TM 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
60 毫歐 @ 9.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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