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FQD11P06TM

更新時間:2025-05-28 17:56:30

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封裝/批號
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詢價

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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FQD11P06TM外觀圖

FQD11P06TM

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

FQD11P06TM 概述

FQD11P06TM是Fairchild Semiconductor（現(xiàn)已被ON Semiconductor收購）生產的一款P溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為-60V，在柵極驅動電壓為-10V時，典型導通電阻僅為0.038Ω，適用于高效率的電源管理和負載切換應用。這款MOSFET廣泛應用于汽車電子、工業(yè)控制以及消費類電子產品中，如DC-DC轉換器、電池管理系統(tǒng)、電機驅動等場景。在實際應用中，設計者應注意保持柵極驅動電路的穩(wěn)定性，以確保MOSFET能夠可靠地開啟和關閉。為了提高抗干擾能力，可以在柵極串聯(lián)一個小電阻，并且并聯(lián)一個齊納二極管來保護柵氧化層不受過壓損害。在PCB布局時，應盡量減小源極和柵極之間的寄生電感，以減少開關過程中的振蕩現(xiàn)象。

FQD11P06TM 規(guī)格參數(shù)

產品培訓模塊
High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
QFET™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
185 毫歐 @ 4.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
550pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
FQD11P06TM-NDFQD11P06TMTR

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