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FDP10AN06A0

更新時間:2025-06-20 07:29:22

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FDP10AN06A0外觀圖

FDP10AN06A0

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB

封裝:TO-220-3

FDP10AN06A0 概述

FDP10AN06A0是由ON Semiconductor（安森美半導體）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關應用。其最大漏源電壓為60V，能夠承受較高的電流密度，非常適合用于電源管理電路中作為開關元件。在實際應用中，F(xiàn)DP10AN06A0常被應用于同步整流、DC-DC轉換器以及電機驅動電路等場景。由于其快速的開關特性和較低的柵極電荷，可以有效減少開關損耗，提高系統(tǒng)效率。使用時需注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內。建議在PCB布局時優(yōu)化MOSFET周圍的走線，以降低寄生電感對性能的影響。此外，在柵極驅動電路設計中應確保足夠的驅動能力，防止因驅動不足導致的性能下降。

FDP10AN06A0 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
400
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PowerTrench®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
75A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
10.5 毫歐 @ 75A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
37nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1840pF @ 25V
功率 - 最大
135W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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