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這是不是靜電的原因? |
| 作者：fmcm 欄目：模擬技術(shù) |
本人2個(gè)月前生產(chǎn)一批電子產(chǎn)品,用了MOS管IRLR3410（Id=17A,Vdss=100V),當(dāng)時(shí)測(cè)試時(shí)性能良好,于是便放于倉(cāng)庫(kù)中,前天取出用同一設(shè)備復(fù)測(cè),發(fā)現(xiàn)一部分產(chǎn)品出現(xiàn)如下情況,小電流測(cè)試時(shí),性能良好,加大測(cè)試電流,則MOS管擊穿，DS導(dǎo)通，電路其他部分良好。經(jīng)試驗(yàn)測(cè)試設(shè)備正常。產(chǎn)品測(cè)試時(shí)的Ｉd<<17A,Vdss<<100V。 本人很奇怪，測(cè)試時(shí)ＭＯＳ管的電流和電壓遠(yuǎn)沒達(dá)到它的最大值，為什么以前是好的，現(xiàn)在就壞了。難道是靜電對(duì)ＭＯＳ管造成了軟損傷，使其電氣性能發(fā)生了變化？？？ 產(chǎn)品具體情況如下： MOS管貼在陶瓷電路板上，陶瓷電路板背面粘上散熱片，電路（包括ＭＯＳ管）用灌封膠灌封，只有散熱片背面與空氣接觸。 MOS管三個(gè)極接法如下： G極：接一50歐姆電阻，電阻另一端接暴露在空氣中的輸入端1 D極：接暴露在空氣中的輸入端2 S極：接暴露在空氣中的地 GS間反接一二極管。 |
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| 作者： awey 于 2007/2/3 8:55:00 發(fā)布：
產(chǎn)品測(cè)試時(shí)的Ｉd<<17A,Vdss<<100V? P=Id*Vdss<<1700W? |
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| 作者： mohanwei 于 2007/2/3 18:46:00 發(fā)布：
awey說得對(duì)，不能將各個(gè)最大值組合起來…… 你還要看功耗，要知道功耗也是有限制的。 還有就是外部電路接法了，如果你用它來控制繼電器或電動(dòng)機(jī)等感性負(fù)載而又沒加保護(hù)措施，就是1000V的管子也照燒不誤，呵呵 |
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| 作者： binbinwb 于 2007/2/3 22:30:00 發(fā)布：
之前的測(cè)試也有用大電流進(jìn)行測(cè)試嗎？ |
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| 作者： fmcm 于 2007/2/3 22:41:00 發(fā)布：
回 Id=17A,Vdss=100V是ＭＯＳ管的最大值，實(shí)際測(cè)試時(shí)Ｉd<5A,Vdss<15V. 前后的測(cè)試項(xiàng)目是一樣的 |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： awey 于 2007/2/4 21:58:00 發(fā)布：
已經(jīng)已經(jīng)接上電路，靜電損壞的可能性相對(duì)較小 可能是瞬時(shí)功率過大造成 * - 本貼最后修改時(shí)間：2007-2-4 23:07:28 修改者：awey |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： dangelzsp 于 2007/2/5 16:18:00 發(fā)布：
1 最好把你的電路圖給出來，這樣好找原因點(diǎn)。 |
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