|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測(cè)控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動(dòng)編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機(jī) | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計(jì) | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
PIC芯片晶振設(shè)計(jì) |
| 作者：林夕依然 欄目：電路欣賞 |
PIC芯片晶振設(shè)計(jì) 晶振設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)用設(shè)計(jì)的重要環(huán)節(jié)之一，因此很有必要了解晶振電路的特點(diǎn)，組成以及如何選用相關(guān)電子元件。 PIC單片機(jī)有四種振蕩方式可供選擇，振蕩方式經(jīng)配置寄存器CONFIG的F0SC1,F0SC0位加以選擇，并在EPROM編程時(shí)寫入。 表1：振蕩器類型選擇 F0SC1 F0SC0 振 蕩 方 式 0 0 低功耗振蕩LP（Low POWER） 0 1 標(biāo)準(zhǔn)晶體振蕩XT（Crystal/Resonator） 1 0 高速晶體振蕩HS (High Speed) 1 1 阻容振蕩 RC（Resistor/Capacitor） 晶體振蕩器/陶瓷振蕩器： XT、LP、HS三種方式中，需一晶體或陶瓷諧振器連接到單片機(jī)的OSC1/CLKIN和OSC2/CLKOUT引腳上，以建立振蕩，如圖1所示。電阻RS常用來(lái)防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。在晶體振蕩下，電阻RF≈10MΩ。對(duì)于32KHZ以上的晶體振蕩器，當(dāng)VDD>4.5V時(shí)，建議C1=C2≈30PF。（C1：相位調(diào)節(jié)電容； C2：增益調(diào)節(jié)電容。） 圖1 外部晶體振蕩器電路： PIC芯片可以使用已集成在片內(nèi)的振蕩器，亦可使用由TTL門電路構(gòu)成的簡(jiǎn)單振蕩器電路。當(dāng)外接振蕩器時(shí)，外部振蕩信號(hào)）僅限于HS。XT。LP）從OSC1端輸入，OSC2端開路。 圖2 圖2所示的是典型的外部并行諧振振蕩電路，應(yīng)用晶體的基頻來(lái)設(shè)計(jì)。74AS04反相器以來(lái)實(shí)現(xiàn)振蕩器所需的180°相移，4.7KΩ的電阻用來(lái)提供負(fù)反饋給反相器，10KΩ的電位器用來(lái)提供偏壓，從而使反相器74AS04工作在線性范圍內(nèi)。 圖3所示的是典型的外部串行諧振振蕩電路，亦應(yīng)用晶體的基頻來(lái)設(shè)計(jì)。74AS04反相器用來(lái)提供振蕩器所需的180°相移， 330Ω的電阻用來(lái)提供負(fù)反饋，同時(shí)偏置電壓。 圖3 RC振蕩： RC振蕩適合于對(duì)時(shí)間精度要求不高的低成本應(yīng)用。RC振蕩頻率隨著電源電壓VDD，RC值及工作環(huán)境溫度的變化而變化。同時(shí)由于工藝參數(shù)的差異，對(duì)不同芯片其振蕩器頻率將不同。另外，當(dāng)外接電容CEXT值較小時(shí)，對(duì)振蕩器頻率的影響更大，當(dāng)然，我們也應(yīng)考慮電阻電容本身的容差對(duì)振蕩器頻率的影響。 圖4 圖4所示的是RC振蕩電路，如果REXT低于2.2KΩ，振蕩器將處于不穩(wěn)定工作狀態(tài)，甚至停振。而REXT大于1M時(shí)，振蕩器又易受噪聲、濕度、漏電流的干擾。因此，電阻REXT取值最好在3KΩ~100KΩ范圍內(nèi)。在不接外部電容時(shí)，振蕩器仍可工作，但為了抗干擾及保證穩(wěn)定性，建議接一20PF以上的電容。 PIC單片機(jī)片內(nèi)有一4分頻電路，從OSC1/CLKIN引腳輸入或RC振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率fOSC經(jīng)4分頻后從OSC2/CLKOUT引腳輸出4分頻信號(hào)，該信號(hào)可用于測(cè)試或作為其它邏輯電路的同步信號(hào)。 常見問(wèn)題分析 1：如何選擇晶體？ 對(duì)于一個(gè)高可靠性的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，晶體的選擇非常重要，尤其設(shè)計(jì)帶有睡眠喚醒(往往用低電壓以求低功耗)的系統(tǒng)。這是因?yàn)榈凸╇婋妷菏固峁┙o晶體的激勵(lì)功率減少，造成晶體起振很慢或根本就不能起振。這一現(xiàn)象在上電復(fù)位時(shí)并不特別明顯，原因時(shí)上電時(shí)電路有足夠的擾動(dòng)，很容易建立振蕩。在睡眠喚醒時(shí)，電路的擾動(dòng)要比上電時(shí)小得多，起振變得很不容易。在振蕩回路中，晶體既不能過(guò)激勵(lì)(容易振到高次諧波上)也不能欠激勵(lì)(不容易起振)。晶體的選擇至少必須考慮：諧振頻點(diǎn)，負(fù)載電容，激勵(lì)功率，溫度特性，長(zhǎng)期穩(wěn)定性。 2：如何判斷晶振是否被過(guò)分驅(qū)動(dòng)？ 電阻RS常用來(lái)防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。過(guò)分驅(qū)動(dòng)晶振會(huì)漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升。可用一臺(tái)示波器檢測(cè)OSC輸出腳，如果檢測(cè)一非常清晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都符合時(shí)鐘輸入需要，則晶振未被過(guò)分驅(qū)動(dòng)；相反，如果正弦波形的波峰，波谷兩端被削平，而使波形成為方形，則晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。這時(shí)就需要用電阻RS來(lái)防止晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。判斷電阻RS值大小的最簡(jiǎn)單的方法就是串聯(lián)一個(gè)5k或10k的微調(diào)電阻，從0開始慢慢調(diào)高，一直到正弦波不再被削平為止。通過(guò)此辦法就可以找到最接近的電阻RS值。 3：如何選擇電容C1，C2？ （1）：因?yàn)槊恳环N晶振都有各自的特性，所以最好按制造廠商所提供的數(shù)值選擇外部元器件。 （2）：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會(huì)增加起振時(shí)間。 （3）：應(yīng)使C2值大于C1值，這樣可使上電時(shí)，加快晶振起振。PIC芯片晶振設(shè)計(jì) http://bbs.21ic.com/upfiles/img/2006101719518555.rar |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： HWM 于 2006/11/20 10:13:00 發(fā)布：
有這么復(fù)雜嗎？我通常固定用12MHZ晶振并作相應(yīng)的設(shè)置就可以了。 |
|
| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： sincos2000 于 2006/11/20 16:41:00 發(fā)布：
謝謝 謝謝呀，晶振真的很有學(xué)的 |
|
| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： Comm_2006 于 2006/11/21 19:10:00 發(fā)布：
還是不太明白 |
|
| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： mcuonline 于 2006/11/22 16:15:00 發(fā)布：
hao 進(jìn)一步學(xué)習(xí) |
|
| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： yangzq 于 2006/11/23 21:58:00 發(fā)布：
為什么PIC的需要串個(gè)電阻RS? PIC的晶振需要串個(gè)電阻RS，別的單片機(jī)需要嗎？ |
|
| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： hhiy 于 2006/11/28 16:45:00 發(fā)布：
很有用。 不錯(cuò)，樓主辛苦了 |
|
| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： jpypcm 于 2006/11/29 9:48:00 發(fā)布：
學(xué)習(xí)... 學(xué)習(xí)... |
|
| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： sky_520 于 2006/11/30 17:29:00 發(fā)布：
回6樓 6樓朋友：串電阻就是防止晶振過(guò)激，一般比較大，十幾M，幾十M，別的單片機(jī)一般不用 |
|
| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： lixun00 于 2006/12/9 10:51:00 發(fā)布：
學(xué)習(xí) |
|
|
|
| 免費(fèi)注冊(cè)為維庫(kù)電子開發(fā)網(wǎng)會(huì)員，參與電子工程師社區(qū)討論，點(diǎn)此進(jìn)入 |
Copyright © 1998-2006 www.udpf.com.cn 浙ICP證030469號(hào) |