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菜鳥請(qǐng)教2214開發(fā)中迷惑的幾個(gè)問題�。。� |
| 作者：岳峰山崖 欄目：ARM技術(shù) |
以前一直用８位和１６位的單片機(jī)，這次是第一次用ARM做項(xiàng)目——一個(gè)心理學(xué)的實(shí)驗(yàn)儀器。手里現(xiàn)在有一套2104的開發(fā)板，之前已經(jīng)斷斷續(xù)續(xù)看ARM的書藉和做實(shí)驗(yàn)有半年時(shí)間了�，F(xiàn)在準(zhǔn)備自己做一塊2214的板子，有幾個(gè)問題想請(qǐng)教一下高手們，懇請(qǐng)賜教。 一、我用到了一片12位的DA芯片（AD5447），以及一塊TFT液晶屏（8位數(shù)據(jù)線）。開始我想仿照《ARM嵌入式系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)教程》中的原理圖，使用Bank3的地址空間擴(kuò)展外設(shè)，但不知道用來地址譯碼與時(shí)序轉(zhuǎn)換的CPLD芯片ATF16LV8C怎樣獲取，是得自己寫程序，還是可以直接從周立功購(gòu)買到。而且購(gòu)買的話還有一個(gè)問題，就是我擴(kuò)的兩個(gè)外設(shè)與周立功相應(yīng)的外設(shè)時(shí)序肯定也不同。如果自己寫這片CPLD，本人雖然學(xué)過FPGA編程，也做過相關(guān)實(shí)驗(yàn)，但“從未下地干過活”，這樣難度會(huì)增大很多，而且開發(fā)周期也會(huì)延長(zhǎng)許多。 所以現(xiàn)在我打算直接用IO腳方式來控制這兩個(gè)外設(shè)，這樣心里有底一些，但感覺IO口數(shù)量有些緊張。 請(qǐng)有經(jīng)驗(yàn)的大俠幫我參謀參謀，怎樣做更好，如果用第一個(gè)方案，CPLD該怎么辦。 二、我用IO口控制AD，但D0到D15用做擴(kuò)展FLASH用，只有從D16到D27有連續(xù)的12位數(shù)據(jù)線可以接AD的12位數(shù)據(jù)，但D26與D27在外部接上拉或下拉電阻后（控制啟動(dòng)方式及存儲(chǔ)器位數(shù)），是否還能做數(shù)據(jù)線用。 還有幾個(gè)問題，但今天沒有時(shí)間寫了，在此先向各位道謝�。�！ |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： zlgarm 于 2006/9/15 8:42:00 發(fā)布：
re 1、試驗(yàn)板中的ATF16LV8C只作邏輯控制沒有進(jìn)行時(shí)序調(diào)整，可以不用。 2、AD數(shù)據(jù)線可以用D0-D11，作為一個(gè)bank訪問。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： 岳峰山崖 于 2006/9/15 11:17:00 發(fā)布：
謝謝zlgarm！ 謝謝幫助，可是還是有些不明白的地方。 一、我開始沒有說太明白，我本來打算用Bank3擴(kuò)NAND FLASH K9F2808U0C。 在《ARM嵌入式系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)教程（二）》中的第12頁(yè)寫了，由于對(duì)K9F2808U0C芯片操作有特定的時(shí)序要求，所以使用了ATF16LV8C產(chǎn)生合適的片選信號(hào)（F_nCS)、讀使能信號(hào)（F_nOE)和寫使能信號(hào)（F_nWE)。而在《教程（二）》中，Bank3同時(shí)還有多個(gè)外設(shè)擴(kuò)展。其余的幾個(gè)外設(shè)可能只是由A23:21地址譯碼，而FLASH還是要求時(shí)序轉(zhuǎn)換吧？謝謝！ 二***、AD數(shù)據(jù)線如果用D0到D11，作為一個(gè)Bank訪問，是否要求AD的讀寫時(shí)序信號(hào)與2214的總線讀寫時(shí)序相同？包括TFT屏的接口也是一樣，怎么解決？這個(gè)問題對(duì)我很關(guān)鍵，謝謝！ 三、為了繞開CPLD，我將要擴(kuò)的NAND FLASH 改為 NOR FLASH SST39VF160，這樣雖然口線占得多點(diǎn)，但不用這么復(fù)雜。但SST39VF160只有2M，感覺小了一點(diǎn)，請(qǐng)問同類型的片子還有沒有容量大的，型號(hào)是什么？ 四、2214的片內(nèi)FLASH為256K，如果我將NOR FLASH分配為Bank0，選擇BOOT1:0為11，當(dāng)下載的代碼超過256K時(shí)，會(huì)自動(dòng)下載到NOR FLASH中來嗎？如果選擇BOOT1:0為01，是不是就不用片內(nèi)的FLASH了。 |
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