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輸出部分場(chǎng)效應(yīng)管老是損壞,請(qǐng)幫忙分析,附貼圖!

作者:lj960221 欄目:模擬技術(shù)
輸出部分場(chǎng)效應(yīng)管老是損壞,請(qǐng)幫忙分析,附貼圖!
實(shí)際負(fù)載電流在1A以下,電阻性負(fù)載,控制它的負(fù)極到地。不存在沖擊電流。輸出端場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電壓G極通過上拉電阻后達(dá)到12V。場(chǎng)管型號(hào)MGSF1N03,耐壓30V,封裝為貼片SOT23,過流2.1A,但是實(shí)際應(yīng)用中到目前為止已經(jīng)損壞了30個(gè)了。不知道是何原因?../uploadfile/200705160226481170.jpg
../uploadfile/200705160226481170.jpg

2樓: >>參與討論
木頭東瓜
5V足夠驅(qū)動(dòng)功率管了阿
為什么要反向了,還有,反向電路的R1和R2還可以更加大,用9014就可以。
看看60N03,5V的時(shí)候驅(qū)動(dòng)它綽綽有余。

3樓: >>參與討論
awey
1A的負(fù)載電流用SOT23的管子有點(diǎn)玄
 
4樓: >>參與討論
mohanwei
awey說得有道理,樓主先算一下功耗……
mos管在你這個(gè)電路里,導(dǎo)通的時(shí)候可以看成一個(gè)電阻……很容易算出它的功率的,然后看看有沒有超過它本身的額定參數(shù),以及SOT23封裝的額定參數(shù)……(記得把環(huán)境溫度考慮到里面去)

5樓: >>參與討論
lj960221
多謝兩位,實(shí)際也計(jì)算過。
遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于他的自身功耗,因?yàn)樗膶?dǎo)通電組很小,大概只有0.008歐姆,實(shí)際功耗再0.1W左右,實(shí)際運(yùn)行是幾乎沒有溫升。我一直在懷疑是不是靜電或者焊接損害。但是沒有理由壞這樣多的阿。而且買的是正規(guī)代理商的一盤一盤的。是不是MOSFET容易受靜電損壞呢?

6樓: >>參與討論
awey
能說說具體是什么負(fù)載嗎?
會(huì)不會(huì)是負(fù)載有一定的分布電感?

不排除是靜電引起的。如果是使用過程中損壞的,靜電損壞的可能性就不大了。

7樓: >>參與討論
lj960221
電阻性負(fù)載.不存在感性
電阻性負(fù)載.不存在感性

8樓: >>參與討論
尤新亮
電阻性負(fù)載.不存在感性?
到底負(fù)載為何物?其影響應(yīng)由壇中高手確定。

9樓: >>參與討論
120
建議在G極和S極之間加一個(gè)電容試一下
   阻性負(fù)載的電感在大電流較高頻率下工作時(shí),是不能忽略的.
   
會(huì)有兩個(gè)不利影響:
1.會(huì)在D極產(chǎn)生尖峰電壓;比如在負(fù)載引線直線一米長,一安的工作電流下.關(guān)斷時(shí)間一微秒,至少會(huì)產(chǎn)生1-2伏的過壓。
2.   阻性負(fù)載的電感和G極電容產(chǎn)生的諧振,會(huì)使晶體管工作不正常,實(shí)際功耗增大。1安的工作電流很容易使諧振幅度達(dá)到10伏以上。

10樓: >>參與討論
sheepyang
30V是指哪個(gè)耐壓?
是指漏嗎?那柵加12V就顯得高了。
MOS管的柵壓高會(huì)存在一種叫time-dependent dielectric breakdown(TDDB)
效應(yīng),失效的時(shí)間跟實(shí)際使用的情況有關(guān)系。也許幾年,也許幾秒鐘。

11樓: >>參與討論
iraq
gate串個(gè)100K電阻
 
12樓: >>參與討論
erichuolo
靜電造成的損壞
靜電造成損壞的可能性大些,焊接時(shí),你的電烙鐵是否接地?

13樓: >>參與討論
lj960221
答復(fù)!
耐壓是Gds,負(fù)載時(shí)LED,電烙鐵全部接地!奇怪了。

14樓: >>參與討論
awey
LED怎么是阻性負(fù)載?到底是什么負(fù)載?
何不把負(fù)載的圖也貼出?技術(shù)保密?

15樓: >>參與討論
菠蘿頭
按上面的分析
按上面的分析,應(yīng)該是負(fù)載的問題.



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