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為什么代碼在片內(nèi)Flash上的運行速度要遠遠快于片外Flash |
| 作者：lightrainy 欄目：ARM技術(shù) |
我查了PLL設(shè)置。。沒發(fā)現(xiàn)有問題啊。。。 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： lovehome56 于 2006/3/17 11:43:00 發(fā)布：
a |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： luck_zhan 于 2006/3/18 9:15:00 發(fā)布：
ZLG的代碼中將外部總線設(shè)成最慢的了! |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： lightrainy 于 2006/3/23 9:21:00 發(fā)布：
Re: luck_zhan 我已經(jīng)重新設(shè)置了 VPB總線速度，，好像沒什么變化？ VPBDIV = 1; 還有更好的建議嗎？ |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： foyyof 于 2006/3/23 13:05:00 發(fā)布：
re: 想想啊老大，里面是高速FLASH，可以基本做到1個xclk讀取一條32位指令。 再看看外部FLASH，首先一般的FLASH的讀寫周期是70ns。假設(shè)我們的總線正好讀周期正好是70ns，讀兩次FLASH能夠完成一次指令讀操作。那么拿60M的晶振來做計算： 內(nèi)部FLASH，一秒鐘可以完成54M（0.9MIPS/MHz）條指令。 外部FLASH，一秒鐘可以完成7.14M條指令（這還是高估了）。 解決辦法：如果你一定要使用無內(nèi)部FLASH的ARM（如LPC2220），可以將高速代碼移到內(nèi)部的RAM來執(zhí)行。如果放不下，試著把你的指令編譯成THUMB，基本可以提高一倍的速度。 |
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