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基本無源元件的知識 |
| 作者：a12345678 欄目：新手園地 |
本系列帖子先采用轉(zhuǎn)帖的方式介紹電容等元件，然后再作總結(jié) 電容基本知識大全 轉(zhuǎn)自滕州科苑電子網(wǎng) 日期：2004-4-24 1:23:57 作者：朱述領(lǐng)電子迷 字體：[大 小] 第1講：電容的特性(隔直通交) 電容器是一種能儲存電荷的容器．它是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．按絕緣材料不同，可制成各種各樣的電容器.如：云母．瓷介．紙介，電解電容器等．在構(gòu)造上，又分為固定電容器和可變電容器．電容器對直流電阻力無窮大，即電容器具有隔直流作用.電容器對交流電的阻力受交流電頻率影響，即相同容量的電容器對不同頻率的交流電呈現(xiàn)不同的容抗.為開么會出現(xiàn)這些現(xiàn)象呢\'這是因為電容器是依靠它的充放電功能來工作的，如圖1，電源開關(guān)s未合上時．電容器的兩片金屬板和其它普通金屬板—樣是不帶電的。當開關(guān)S合上時，如圖2所示，電容器正極板上的自由電子便被電源所吸引，并推送到負極板上面。由于電容器兩極板之間隔有絕緣材料，所以從正極板跑過來的自由電子便在負極板上面堆積起來．正極板便因電子減少而帶上正電，負極板便因電子逐漸增加而帶上負電。電容器兩個極板之間便有了電位差，當這個電位差與電源電壓相等時，電容器的充電就停上了．此時若將電源切斷，電容器仍能保持充電電壓。對已充電的電容器，如果我們用導線將兩個極板連接起來，由于兩極板間存在的電位差，電子便會通過導線，回到正極板上，直至兩極板間的電位差為零．電容器又恢復到不帶電的中性狀態(tài),導線中也就沒電流了．電容器的放電過程如圖3所示．加在電容器兩個極板上的交流電頻率高，電容器的充放電次數(shù)增多；充放電電流也就增強；也就是說．電容器對于頻率高的交流電的阻礙作用就減小,即容抗小,反之電容器對頻率低的交流電產(chǎn)生的容抗大．對于同一頻率的交流電電．電容器的容量越大，容抗就越小，容量越小,容抗就越大. 第2講:電容器的參數(shù)與分類 在電子產(chǎn)品中，電容器是必不可少的電子器件，它在電子設(shè)備中充當整流器的平滑濾波、電源的退耦、交流信號的旁路、交直流電路的交流耦合等。由于電容器的類型和結(jié)構(gòu)種類比較多，因此，我們不僅需要了解各類電容器的性能指標和一般特性，而且還必須了解在給定用途下各種元件的優(yōu)缺點，以及機械或環(huán)境的限制條件等。這里將對電容器的主要參數(shù)及其應用做簡單說明。 1. 標稱電容量（ C R ）。電容器產(chǎn)品標出的電容量值。云母和陶瓷介質(zhì)電容器的電容量較低（大約在 5000pF 以下）；紙、塑料和一些陶瓷介質(zhì)形式的電容器居中（大約在 0.005uF~1.0uF ）；通常電解電容器的容量較大。這是一個粗略的分類法。 2. 類別溫度范圍。電容器設(shè)計所確定的能連續(xù)工作的環(huán)境溫度范圍。該范圍取決于它相應類別的溫度極限值，如上限類別溫度、下限類別溫度、額定溫度（可以連續(xù)施加額定電壓的最高環(huán)境溫度）等。 3. 額定電壓（ U R ）。在下限類別溫度和額定溫度之間的任一溫度下，可以連續(xù)施加在電容器上的最大直流電壓或最大交流電壓的有效值或脈沖電壓的峰值。電容器應用在高電壓場和時，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì) / 電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號外，還會導致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動條件下，電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器，在使用中應保證直流電壓與交流峰值電壓之和不得超過電容器的額定電壓。 4. 損耗角正切（ tg δ ）。在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率為損耗角正切。在實際應用中，電容器并不是一個純電容，其內(nèi)部還有等效電阻，它的簡化等效電路如附圖所示。對于電子設(shè)備來說，要求 R S 愈小愈好，也就是說要求損耗功率小，其與電容的功率的夾角要小。 5. 電容器的溫度特性。通常是以 20 ℃基準溫度的電容量與有關(guān)溫度的電容量的百分比表示。 6. 使用壽命。電容器的使用壽命隨溫度的增加而減小。主要原因是溫度加速化學反應而使介質(zhì)隨時間退化。 7. 絕緣電阻。由于溫升引起電子活動增加，因此溫度升高將使絕緣電阻降低。 電容器包括固定電容器和可變電容器兩大類。其中固定電容器又可根據(jù)其介質(zhì)材料分為云母電容器、陶瓷電容器、紙 / 塑料薄膜電容器、 第3講:電容的類別和符號 電容的種類也很多，為了區(qū)別開來，也常用幾個拉丁字母來表示電容的類別，如圖1所示。第一個字母C表示電容，第二個字母表示介質(zhì)材料，第三個字母以后表示形狀、結(jié)構(gòu)等。上圖是小型紙介電容，下圖是立式矩開密封紙介電容。表1列出電容的類別和符號。表2是常用電容的幾項特性。 第4講: 電解電容極性的判別 不知道極性的電解電容可用萬用表的電阻擋測量其極性。 我們知道只有電解電容的正極接電源正（電阻擋時的黑表筆），負端接電源負（電阻擋時的紅表筆）時，電解電容的漏電流才�。╇娮璐螅７粗�，則電解電容的漏電流增加（漏電阻減�。� 測量時，先假定某極為“ + ”極，讓其與萬用表的黑表筆相接，另一電極與萬用表的紅表筆相接，記下表針停止的刻度（表針靠左阻值大），然后將電容器放電（既兩根引線碰一下），兩只表筆對調(diào)，重新進行測量。兩次測量中，表針最后停留的位置靠左（阻值大）的那次，黑表筆接的就是電解電容的正極。 測量時最好選用 R*100 或 R*1K 擋。 用萬用表判斷電容器質(zhì)量 第5講:用萬用表判斷電容器質(zhì)量 視電解電容器容量大小，通常選用萬用表的 R×10 、 R×100 、 R×1K 擋進行測試判斷。紅、黑表筆分別接電容器的負極（每次測試前，需將電容器放電），由表針的偏擺來判斷電容器質(zhì)量。若表針迅速向右擺起，然后慢慢向左退回原位，一般來說電容器是好的。如果表針擺起后不再回轉(zhuǎn)，說明電容器已經(jīng)擊穿。如果表針擺起后逐漸退回到某一位置停位，則說明電容器已經(jīng)漏電。如果表針擺不起來，說明電容器電解質(zhì)已經(jīng)干涸推失去容量。 有些漏電的電容器，用上述方法不易準確判斷出好壞。當電容器的耐壓值大于萬用表內(nèi)電池電壓值時，根據(jù)電解電容器正向充電時漏電電流小，反向充電時漏電電流大的特點，可采用 R×10K 擋，對電容器進行反向充電，觀察表針停留處是否穩(wěn)定（即反向漏電電流是否恒定），由此判斷電容器質(zhì)量，準確度較高。黑表筆接電容器的負極，紅表筆接電容器的正極，表針迅速擺起，然后逐漸退至某處停留不動，則說明電容器是好的，凡是表針在某一位置停留不穩(wěn)或停留后又逐漸慢慢向右移動的電容器已經(jīng)漏電，不能繼續(xù)使用了。表針一般停留并穩(wěn)定在 50 － 200K 刻度范圍內(nèi)。 第6講：略談電解電容 一、電解電容在電路中的作用 1，濾波作用，在電源電路中，整流電路將交流變成脈動的直流，而在整流電路之后接入一個較大容量的電解電容，利用其充放電特性，使整流后的脈動直流電壓變成相對比較穩(wěn)定的直流電壓。在實際中，為了防止電路各部分供電電壓因負載變化而產(chǎn)生變化，所以在電源的輸出端及負載的電源輸入端一般接有數(shù)十至數(shù)百微法的電解電容．由于大容量的電解電容一般具有一定的電感，對高頻及脈沖干擾信號不能有效地濾除，故在其兩端并聯(lián)了一只容量為0.001--0.lpF的電容，以濾除高頻及脈沖干擾． 2，耦合作用：在低頻信號的傳遞與放大過程中，為防止前后兩級電路的靜態(tài)工作點相互影響，常采用電容藕合．為了防止信號中韻低頻分量損失過大，一般總采用容量較大的電解電容。 二、電解電容的判斷方法 電解電容常見的故障有，容量減少，容量消失、擊穿短路及漏電，其中容量變化是因電解電容在使用或放置過程中其內(nèi)部的電解液逐漸干涸引起，而擊穿與漏電一般為所加的電壓過高或本身質(zhì)量不佳引起。判斷電源電容的好壞一般采用萬用表的電阻檔進行測量．具體方法為：將電容兩管腳短路進行放電，用萬用表的黑表筆接電解電容的正極。紅表筆接負極(對指針式萬用表，用數(shù)字式萬用表測量時表筆互調(diào))，正常時表針應先向電阻小的方向擺動，然后逐漸返回直至無窮大處。表針的擺動幅度越大或返回的速度越慢，說明電容的容量越大，反之則說明電容的容量越小．如表針指在中間某處不再變化，說明此電容漏電，如電阻指示值很小或為零，則表明此電容已擊穿短路．因萬用表使用的電池電壓一般很低，所以在測量低耐壓的電容時比較準確，而當電容的耐壓較高時，打時盡管測量正常，但加上高壓時則有可能發(fā)生漏電或擊穿現(xiàn)象． 三、電解電容的使用注意事項 1、電解電容由于有正負極性，因此在電路中使用時不能顛倒聯(lián)接。在電源電路中，輸出正電壓時電解電容的正極接電源輸出端，負極接地，輸出負電壓時則負極接輸出端，正極接地．當電源電路中的濾波電容極性接反時，因電容的濾波作用大大降低，一方面引起電源輸出電壓波動，另一方面又因反向通電使此時相當于一個電阻的電解電容發(fā)熱．當反向電壓超過某值時，電容的反向漏電電阻將變得很小，這樣通電工作不久，即可使電容因過熱而炸裂損壞． < |
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| 作者： a12345678 于 2005/10/31 15:12:00 發(fā)布：
如何選擇使用電容 來源：飛越無限 中國電子頂級開發(fā)網(wǎng)---技術(shù)論壇／數(shù)字/模擬電路設(shè)計／[原創(chuàng)]如何選擇使用電容 如何選擇使用電容 1、引言 電容器通常是按其制造的介質(zhì)材料分類。 在選擇電容器時，工作頻率是最重要的特性之一。 電容器作為基本元件在電子線路中起著重要作用，在傳統(tǒng)的應用中，電容器主要用作旁路耦合、電源濾波、隔直以及小信號中的振蕩、延時等。以上電路對電容器參數(shù)的主要要求有：電容量；額定電壓；正切損耗；漏電流等，對其它參數(shù)沒有過多的要求。 2、電容器介紹 2.1 瓷介電容器 各種電容器中，瓷介電容器應用最廣。原因是價格低、特性范圍寬、容積效率高以及頻率范圍高端極高等特點。常用瓷介電容器可分為I型和II型兩大類。 I型瓷介電容器的特點是介質(zhì)損耗低、容量對溫度、頻率、電壓和時間的穩(wěn)定性都比較高，常用于高頻電路及對電容器要求較高的場所。 II型瓷介電容其主要特點是體積小、容量大，但電容量對溫度、頻率、電壓和時間的穩(wěn)定性較差，介質(zhì)損耗也較大，常用在低頻電路中。 獨石型瓷介電容器具有體積小、可靠性高、耐濕性好等優(yōu)點，大量應用于集成電路中作為分立元件和用于要求小型化的電子設(shè)備中。 2.2 金屬化紙介電容器 容積比率大、工作電場強度高、絕緣不良�？捎糜谥绷骰蛎}動電路。 2.3 滌綸電容器 電參數(shù)隨溫度變化較大�？捎糜谥绷骱兔}動電路。 2.4 云母電容器 云母電容器具有優(yōu)良的電氣特性，絕緣強度高，損耗小，而且溫度、頻率特性溫穩(wěn)定，不易老化，電容精度容易達到±1—±5%，甚至更高。常用于高頻電路中，并可做成標準電容器。 獨石云母電容器具有體積小、電容量大、性能穩(wěn)定、電感小和高頻性能好等特點。 云母電容器的耐熱性能好，但抗潮濕性能差。 2.5 漆膜電容器 特點是電容量與頻率特性好，在100—1000Hz范圍內(nèi)容量幾乎沒有什么變化。常用在低電壓、大容量、小體積、高可靠的電子設(shè)備中。 2.6 玻璃釉電容器 玻璃釉電容器的容量對溫度的穩(wěn)定性及頻率的穩(wěn)定性比一般瓷介電容器強，比云母電容器差。耐潮濕，抗振性能好，可用于海上環(huán)境使用。 2.7電解電容器 常用的電解電容器有鋁電解電容器和鉭、鈮電解電容器。 鋁電解電容器由于價格便宜、品種齊全而得到大量使用。漏電流和損耗較大，容量穩(wěn)定性較差。鉭、鈮電解電容器的體積較小、性能較穩(wěn)定。3、電容器的標稱容量系列和允許偏差系列 根據(jù)GB 2471，固定式電容器的標稱容量系列和允許偏差系列采用E3、E6、E12、E24、E48、E96系列。EXX系列的表格請參考“電阻概論”。 下面介紹多層片式瓷介電容器的標稱容量系列和允許誤差系列。根據(jù)GB/T 9324，標稱電容量應優(yōu)先從E3、E6、E12和E24系列中選取。 I類電容器優(yōu)先標稱電容量允許偏差 優(yōu)先系列 允許偏差 CR≥10PF 字母代碼 CR<10PF 字母代碼 E6 ±20% M ±2pF G E12 ±10% K ±1pF F E24 ±5% ±2% ±1% J G F ±0.5Pf ±0.25pF ±0.1pF D C B II類電容器優(yōu)先標稱電容量允許偏差 優(yōu)先系列 允許偏差，% 字母代碼 E3和E6 -20/+80 Z -20/+50 S E6 ±20 M E6和E12 ±10 K 4、電容器的額定電壓系列 4.1根據(jù)GB 2472，電容器的額定工作電壓應符合下表規(guī)定 單位：伏 1.6 4 6.3 10 16 25 32* 40 50* 63 100 125* 160 250 300* 400 450* 500 630 1000 1600 2000 2500 3000 4000 5000 6300 8000 10000 15000 20000 25000 30000 35000 40000 45000 50000 60000 80000 100000 注：有“*”者只限電解電容器采用 數(shù)值下有“—”者建議優(yōu)先采用 4.2 額定工作電壓系指電容器在最低環(huán)境溫度和額定溫度之間的任一溫度下可以連線加在電容器上的最大直流電壓或最大的交流電壓有效值。 5、電容器的封裝 直插電容封裝 對鋁電解電容器來講，主要尺寸有4個： L——電解電容器高度 D——電解電容器直徑 F——電解電容器2引腳間距 d——電解電容器引腳直徑 一般來說，額定電壓高、容值大的電解電容器尺寸大。 對NPO瓷介電容器來講，主要尺寸有4個： W——NPO外殼最大寬度 H——NPO外殼高度 F——NPO引腳間距 d——NPO引腳直徑 尺寸數(shù)據(jù)由生產(chǎn)廠家提供，常用的腳間距尺寸為100mil、200mil。 貼片多層陶瓷電容封裝 主要封裝有0402、0603、0805、1206、1210等。 高壓片狀電容器 主要封裝有1206、1210、1808、1812、1825、2225、3640等。 貼片鉭電容封裝 主要封裝有3216、3528、6032、7343、7343H等。 6、電容器的標識 6.1直接標注法 主要標注有額定電壓、額定容量、額定溫度、廠家標志、產(chǎn)品系列號、容量精度等，要求標出盡可能多的參數(shù)。 6.2 數(shù)字代碼標注法 電容上使用數(shù)字/字母標注，如標注為225K，則代表容量值為2.2u，精度為±10%。 電容上無標注，由外包裝說明，常用于貼片電容。引用泉州火炬廠的標注方法，示范如下： 如高壓貼片電容 1808 A A 271 K A 1 1 A ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ① 封裝1805 ②額定電壓1000V=A ③溫度系數(shù) COG=A ④容量值 270PF=271 ⑤ 容量誤差 ±10%=K ⑥故占率 A=不適用 ⑦端接: 1=Pd/Ag ⑧標記/包裝 1=7"卷式壓印 帶/無標記 ⑨專門代碼:A=標準 多層陶瓷貼片電容的外包裝標注 0805 5 A 101 J A T 2 A 規(guī)格 電壓 溫度系數(shù) 電容值 誤差 故障率 端接 包裝記號 專門代碼 2.0mm*1.25mm 50V 100PF ±5% 不適用 標準 7"卷式紙帶/無標記 標準產(chǎn)品 7、介紹常用的多層陶瓷電容器 7.1 NPO(根據(jù)泉州火炬廠資料) 屬1類陶瓷介質(zhì)，電氣性能穩(wěn)定，基本上不隨時間、溫度、電壓變化，適用于高可靠、高穩(wěn)定的高額、特高頻場合。 特性： 電容范圍 1pF～0.1UF (1±0.2V rms 1MHZ) 環(huán)境溫度： -55℃～+125℃ 組別：CG 溫度特性： 0±30ppm/℃ 損耗角正切值： 15x10-4 絕緣電阻： ≥10GΩ 抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：≤50毫安 7.2 X7R(根據(jù)泉州火炬廠資料) 屬2類陶瓷介質(zhì)，電氣性能較穩(wěn)定，隨時間、溫度、電壓的變化，其特性變化不明顯，適用于要求較高的耦合、旁路、源波電路以及10兆周以下的頻率場合。 特性： 電容范圍 300pF～3.3UF (1.0±0.2V rms 1KHz) 環(huán)境溫度： -55℃～+125℃ 組別：2X1 溫度特性： ±15% 損耗角正切值： 100Volts: 2.5% max 50Volts: 2.5% max 25Volts: 3.0% max 16Volts: 3.5% max 10Volts: 5.0% max 絕緣電阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (單位：MΩ) 抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：≤50毫安 7.3 Y5V(根據(jù)泉州火炬廠資料) 屬 2類陶瓷介質(zhì)，具有很高的介電系數(shù)，能較容易做到小體積，大容量，其容量隨溫度變化比較明顯，但成本較低。廣泛應用于對容量，損耗要求不高的場合。 特性： 電容范圍 1000pF～22UF (0.3V 1KHz) 環(huán)境溫度： -30℃～+85℃ 溫度特性： ±22%～-82% 損耗角正切值： 50Volts: 3.5% 25Volts: 5.0% 16Volts: 7.0% 絕緣電阻： ≥4GΩ或 ≥100S/C (單位：MΩ) 抗電強度： 2.5倍額定電壓 5秒 浪涌電流：≤50毫安 補充：鋁電解電容在電路中需要考慮的參數(shù)還有ESR（等效串連電阻），這個參數(shù)值影響紋波電壓大小，現(xiàn)在一般LOW ESR電容的ESR值在幾十mΩ，ESR＝損耗角正切值/(2* Π*f*c),Π＝3.1415 ,f=使用頻率，c=制品靜電容量；還有一個就是所允許通過的最大紋波電流值，當然大一些比較好了。 |
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| 作者： a12345678 于 2005/10/31 15:16:00 發(fā)布：
貼片電容命名 貼片電容命名 作者： 沈凱 電容的型號命名： 1） 各國電容器的型號命名很不統(tǒng)一，國產(chǎn)電容器的命名由四部分組成： 第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。 第二部分：用字母表示材料。 第三部分：用數(shù)字表示分類。 第四部分：用數(shù)字表示序號。 2） 電容的標志方法： （1） 直標法：用字母和數(shù)字把型號、規(guī)格直接標在外殼上。 （2） 文字符號法：用數(shù)字、文字符號有規(guī)律的組合來表示容量。文字符號表示其電容量的單位：P、N、u、m、F等。和電阻的表示方法相同。標稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10PF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1pF，C——±0.2pF，D——±0.5pF，F(xiàn)——±1pF。 （3） 色標法：和電阻的表示方法相同，單位一般為pF。小型電解電容器的耐壓也有用色標法的，位置靠近正極引出線的根部，所表示的意義如下表所示： 顏色 黑 棕 紅 橙 黃 綠 藍 紫 灰 耐壓 4V 6.3V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V （4） 進口電容器的標志方法：進口電容器一般有6項組成。 第一項：用字母表示類別： 第二項：用兩位數(shù)字表示其外形、結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線開始及與軸的關(guān)系。 第三項：溫度補償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示： 序號 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差 字母 顏色 溫度系數(shù) 允許偏差 1 A 金 +100 R 黃 -220 2 B 灰 +30 S 綠 -330 3 C 黑 0 T 藍 -470 4 G ±30 U 紫 -750 5 H 棕 -30 ±60 V -1000 6 J ±120 W -1500 7 K ±250 X -2200 8 L 紅 -80 ±500 Y -3300 9 M ±1000 Z -4700 10 N ±2500 SL +350~-1000 11 P 橙 -150 YN -800~-5800 備注：溫度系數(shù)的單位10e -6/℃；允許偏差是 % 。 第四項：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。 第五項：標稱容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當有小數(shù)時，用R或P表示。普通電容器的單位是pF，電解電容器的單位是uF。 第六項：允許偏差。用一個字母表示，意義和國產(chǎn)電容器的相同。 也有用色標法的，意義和國產(chǎn)電容器的標志方法相同。 3． 電容的主要特性參數(shù)： （1） 容量與誤差：實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級：I級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。 精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。 常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級——±0.5%；F——01級——±1%；G——02級——±2%；J——I級——±5%；K——II級——±10%；M——III級——±20%。 （2） 額定工作電壓：電容器在電路中能夠長期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。 （3） 溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數(shù)越小越好。 （4） 絕緣電阻：用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。 （5） 損耗：在電場的作用下，電容器在單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。 （6） 頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。 不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。 |
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| 作者： a12345678 于 2005/10/31 15:17:00 發(fā)布：
貼片電容的命名方法 貼片電容的命名方法 作者： 路遙 單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。 一 NPO電容器 NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。 NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃，電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%，相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。下表給出了NPO電容器可選取的容量范圍。 封 裝 DC=50V DC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF 2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。 二 X7R電容器 X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55℃到+125℃時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。 X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%ΔC，表現(xiàn)為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。 封 裝 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF 三 Z5U電容器 Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。 封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF 1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF Z5U電容器的其他技術(shù)指標如下: 工作溫度范圍 +10℃ --- +85℃ 溫度特性 +22% ---- -56% 介質(zhì)損耗 最大 4% 四 Y5V電容器 Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達+22%到-82%。 Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7μF電容器。 Y5V電容器的取值范圍如下表所示 封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.39μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---1μF 0.01μF---0.33μF 1210 0.1μF---1.5μF 0.01μF---0.47μF 2225 0.68μF---2.2μF 0.68μF---1.5μF Y5V電容器的其他技術(shù)指標如下: 工作溫度范圍 -30℃ --- +85℃ 溫度特性 +22% ---- -82% 介質(zhì)損耗 最大 5% 貼片電容器命名方法可到AVX網(wǎng)站上找到。不同的公司命名方法可能略有不同。 |
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| 作者： a12345678 于 2005/10/31 15:17:00 發(fā)布：
參考各生產(chǎn)商的data sheet 參考各生產(chǎn)商的data sheet 作者： pcb1990 各個生產(chǎn)廠商的命名是不同的，大體上有一下內(nèi)容： 1、公司代號、 2、公司產(chǎn)品序列號、 3、尺寸（0402、0805、0603、0201、1206等） 4、高度（0.5mm、0.6mm、0.7mm等） 5、溫度特性（COG、coh、z5u、x5r、x7r等，這些標稱有分別被各個生產(chǎn)廠商自己訂的標示所代表） 6、電壓特性（DC4V、DC6.3V等） 7、容值 8、包裝（卷帶的直徑） 用ESR低的電容會有很大改善 作者： 侯鵬 用ESR低的電容會有很大改善，但是ESR低的電容防浪涌電流的能力很低，系統(tǒng)最好做成軟啟動。 |
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| 作者： javie 于 2005/10/31 15:19:00 發(fā)布：
認真看過 建議給條褲子 |
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| 作者： caoheng1 于 2005/11/1 8:45:00 發(fā)布：
謝謝前輩! |
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| 作者： a12345678 于 2005/11/1 21:52:00 發(fā)布：
電容的特性一例 本文是從《電腦報》讀者論壇 » 會攢機也不能叫DIY，最強電容講座•實戰(zhàn)篇，加深你的認識！一文的有關(guān)電容部分的摘錄。 會攢機也不能叫DIY，最強電容講座•實戰(zhàn)篇，加深你的認識！�。。�！ 第1頁：鋁電解液電容的制造過程 那么這次我們要談的——這包括電容的制造過程、電容的壽命以及不同品牌、不同型號電容的性能特點。 在本章節(jié)我們首先講一講貼片鋁電解液電容的制造方法，貼片鋁電解液電容是如今的顯卡上最常見的電容之一。大家看完本章后，就能明白這種電容是如何從原材料變成現(xiàn)在的模樣了。事實上其它種類的貼片電解電容，例如鋁固體聚合物電容的制造方法也和它類似，只是陰極采用的材料不是電解液，而是固體聚合物等等 貼片鋁電解液電容是顯卡上最常見的電容 貼片鋁電解液電容的制造過程包括九個步驟，我們就按順序逐一為大家講解： 第一步：鋁箔的腐蝕。 假如拆開一個鋁電解液電容的外殼，你會看到里面是若干層鋁箔和若干層電解紙，鋁箔和電解紙貼附在一起，卷繞成筒狀的結(jié)構(gòu)，這樣每兩層鋁箔中間就是一層吸附了電解液的電解紙了。 因此首先我們談談鋁箔的制造方法。為了增大鋁箔和電解質(zhì)的接觸面積，電容中的鋁箔的表面并不是光滑的，而是經(jīng)過電化腐蝕法，使其表面形成凹凸不平的形狀，這樣能夠增大7~8倍的表面積。普通鋁箔一平方米的價格在10元人民幣左右，而經(jīng)過這道工藝之后，它的價格將升到40~50元/平米。電化腐蝕的工藝是比較復雜的，其中涉及到腐蝕液的種類、濃度、鋁箔的表面狀態(tài)、腐蝕的速度、電壓的動態(tài)平衡等等。我們國家目前在這方面的制造工藝還不夠成熟，因此用于制造電容的經(jīng)過電化腐蝕的鋁箔目前還主要依賴進口。 第二步：氧化膜形成工藝。 鋁箔經(jīng)過電化腐蝕后，就要使用化學辦法，將其表面氧化成三氧化二鋁——也就是鋁電解電容的介質(zhì)。在氧化之后，要仔細檢查三氧化二鋁的表面，看是否有斑點或者龜裂，將不合格的排除在外。 第三步：鋁箔的切割。 這個步驟很容易理解。就是把一整塊鋁箔，切割成若干小塊，使其適合電容制造的需要。 第四步：引線的鉚接。 電容外部的引腳并不是直接連到電容內(nèi)部，而是通過內(nèi)引線與電容內(nèi)部連接的。因此，在這一步當中我們就需要將陽極和陰極的內(nèi)引線，與電容的外引線通過超聲波鍵合法連接在一起。外引線通常采用鍍銅的鐵線或者氧化銅線以減少電阻，而內(nèi)引線則直接采用鋁線與鋁箔直接相連。大家注意這些小小的步驟無一不對精密加工要求很高。 第五步：電解紙的卷繞。 電容中的電解液并非直接灌進電容，呈液態(tài)浸泡住鋁箔，而是通過吸附了電解液的電解紙與鋁箔層層貼合。這當中，選用的電解紙與普通紙張的配方有些不同，是呈微孔狀的，紙的表面不能有雜質(zhì)，否則將影響電解液的成分與性能。而這一步，就是將沒有吸附電解液的電解紙，和鋁箔貼在一塊，然后卷進電容外殼，使鋁箔和電解紙形成類似“101010”的間隔狀態(tài)。 第六步：電解液的浸漬。 當電解紙卷繞完畢之后，就將電解液灌進去，使電解液浸漬到電解紙上。隨著電解液配方的改進以及電解紙制造技術(shù)的提升，如今鋁電解液電容的ESR值也逐漸得以提升，變成以前的若干分之一。 第七步：裝配。 這一步就是將電容外面的鋁殼裝配上，同時連接外引線，電容到這時已經(jīng)基本成型了。 第八步：卷邊。 如果是那種“包皮”電容，就需要經(jīng)過這一步，將電容外面包覆的PVC膜套在電容鋁殼外面。不過如今使用PVC膜的電容已經(jīng)越來越少，主要原因在于這種材料并不符合環(huán)保的趨勢，而和性能表現(xiàn)沒有太大關(guān)系。 第九步：組合裝配。 如果是直插封裝，就不需要經(jīng)過這步 這是貼片鋁電解電容制造的最后一步。這一步就是將SMT貼片封裝工藝所需要的黑色塑料底板元件裝在電容底部。對元件的要求，首先是密封效果要好；第二是耐熱性能要好；第三還要具備耐化學性，不能和電容內(nèi)部的電解液一類物質(zhì)產(chǎn)生化學反應。這塊小塑料板叫做“端子板”，其制造精度要求是非常高，因為一旦大小不合適，要么影響電容的密封性（過小），或者阻擋PCB上電容附近其它元件的裝配（過大）。 第2頁：鉭二氧化錳電容的制造過程 萬鵬：顯卡上除了常見的貼片鋁電解液電容外，偶爾還會出現(xiàn)比其更加高檔的鉭二氧化錳電容，也就是我們熟悉的鉭電容。鉭二氧化錳電容的外觀呈立方體，體積較小，與體積相對偏大，且外觀為圓筒狀的鋁電解液電容截然不同。不僅是外觀，鉭二氧化錳電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也和鋁電解液電容不一樣。那么，這種電容又是如何制造出來的呢？ 鉭電容是“高檔的象征” 可以說將二氧化錳作為陰極的鉭二氧化錳電容的制造過程，比將固體聚合物作為陰極的電容還要復雜。因為PPY和PEDT這類固體聚合物，只需要直接放置入電容內(nèi)部，而鉭二氧化錳電容內(nèi)部的二氧化錳，由于溶解性較差，熔點較高，無法預先緊密貼合，所以只能用硝酸錳熱分解生成。 制造鉭電容首先需要高純度的鉭粉。其純度至少應該在99.9%以上，目前這方面能達到的最高工藝是99.9999%。首先，將鉭粉和有機溶劑摻雜在一起，按照一定的形狀加壓成形，同時埋入鉭引線。 然后，在2000℃以上的真空高溫環(huán)境下，將摻雜有機溶劑的鉭粉在真空中進行燒結(jié)變成類似于海綿的狀態(tài)，同時和引線真正地融合在一起。（一定要保證真空環(huán)境，杜絕氧氣，因為鉭的熔點非常高，低于2000℃無法熔化，而在2000℃時，鉭會和氧氣發(fā)生劇烈反應，也就是爆炸 所以一定不能有氧氣混入） 接下來就要把燒結(jié)以后的海綿狀的鉭進行氧化而得到介質(zhì)——五氧化二鉭。這一步是將海綿狀的鉭，泡在磷酸溶液里面電解，氧化后表面即生成五氧化二鉭。五氧化二鉭的介電常數(shù)非常高，在27左右，性能高于鋁電解電容的三氧化二鋁介質(zhì)（介電常數(shù)7左右）。 然后就是陰極材質(zhì)——二氧化錳的生成。這一環(huán)節(jié)，是將液態(tài)的硝酸錳加入鉭塊，然后將其在水蒸汽（催化劑）環(huán)境中進行熱分解，分別成二氧化錳與二氧化氮。為了使氧化膜能夠真正完全黏附在二氧化錳上，這道工序要進行好幾次（摻入，分解，再摻入……）。硝酸錳吸附性好，生成的二氧化錳可以完全吸附在海面狀鉭塊內(nèi)部的無數(shù)個小孔當中。假如這里直接使用固體的二氧化錳，就無法達到這種效果，這就是為什么二氧化錳只能在制造過程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固體聚合物，因其溶點很低，就可以直接將其熔解然后放進去。 最后要將銀粉和石墨涂在二氧化錳的表面上，減少它的ESR，增強它的導電性。這一步驟看似簡單，但實際也非常重要。尤其是涂層的厚薄要均勻，密度要大，否則對降低ESR幫助不大。另外使用PPY/PEDT做陰極的時候，也同樣要施行這一道工序。此過程也要反復進行好多遍才可以 如此這般，鉭二氧化錳電容內(nèi)部的那顆“芯”就已經(jīng)制作完成了。對于一些LOW ESR的高檔鉭二氧化錳/鉭固體聚合物電容而言，廠商往往會先做好幾個“芯”，然后將其并聯(lián)在一起，封裝成一個電容，這樣其ESR值會很低，性能更加出色，當然價格也不便宜。 最后就是一些安裝的工序。首先加入外引線，然后用環(huán)氧樹脂進行封裝。鉭電容從外觀上看一般有黃色和黑色兩種，而它們都是環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂的絕緣性、機械強度、耐濕性很好，比使用鋁作為外殼的失效性更低。不過鋁電容也可以使用環(huán)氧樹脂封裝，這種鋁電容的外觀和鉭電容是差不多的，這我們在上一篇文章里已經(jīng)提到過，因此大家不能單憑外觀來判斷電容的陽極材質(zhì)。 陶瓷電容經(jīng)常出現(xiàn)在CPU、GPU等高頻設(shè)備上 有一些朋友分不清鉭電容和陶瓷電容有什么區(qū)別。其實很簡單，鉭電容的外殼，采用的是不導電的環(huán)氧樹脂，而陶瓷電容的外殼采用的則是導電的金屬。 電子設(shè)備中看似最簡單的電容，竟然也有那么多道工序，而且制造工藝那么考究，真是讓人驚嘆。大家以后可不要小看了電容。 第3頁：衡量電容性能的幾個重要性能參數(shù) 在熟知電容的制造全過程，了解了電容的基本構(gòu)造和原理之后，我們就將面臨一個新的問題——如何從參數(shù)上判斷電容品質(zhì)的好壞？只有掌握了這一方法，我們才能以不變應萬變，即使對電容的種類和品牌本身不了解，也能通過幾個參數(shù)迅速判斷出其性能檔次。 關(guān)于電容的參數(shù)，我們將其分為“看得到的”和“看不到的”。所謂“看得到的”，就是印在電容表面的一些基本參數(shù)，這些參數(shù)在我們看到一顆電容之后往往可以直接得知。例如電容的容量（比如“470μF”等等）、容量偏差范圍、耐溫范圍、電壓值（比如“16V”）。 所謂“看不到的”參數(shù)，就是我們需要根據(jù)電容的型號來查詢的參數(shù)。例如我們常說的ESR值，如今已成為區(qū)別電容性能的重要參數(shù)，而我們在電容上是看不到這個參數(shù)的，我們得去相關(guān)的網(wǎng)站通過電容的型號來查詢。類似的參數(shù)還有不少，其中包括如下一些： 1.ESR值； 2.能夠耐受的漣波電流值； 3.溫度特性； 4.損耗角的正切（TAN），相當于無功功率和有功功率的比值，這個值跟電容的品質(zhì)以及發(fā)熱量有關(guān)系，這個值越小電容性能越好。 5.漏電流值：無論絕緣體多大，總是會有細微的電流漏過電容，這個值則代表具體漏過的多少。 此外，ESL特性也是電容的性能指標之一。但是隨著電容技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在的高檔電解電容，其ESL特性一般都很好，到10MHZ、20MHZ以上的時候往往才能體現(xiàn)出區(qū)別，因此也就失去了比較的意義。 第4頁：電容ESR的意義 ESR緣何重要？ 首先來說ESR。ESR是高頻電解電容里面最重要的性能參數(shù)，很多電子元器件都強調(diào)“LOW ESR”這一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我們?nèi)绾握_理解LOW ESR的實際意義呢？由于現(xiàn)在電子技術(shù)的發(fā)展，供應給硬件的電壓正呈現(xiàn)越來越低的趨勢，例如INTEL、AMD的最新款CPU，電壓均小于2V，相比以前動輒3、4V的電壓要低得多。但是，另一方面這些芯片由于晶體管和頻率爆增，需求的功耗卻是有增無減，因此按P=UI的公式來計算，這些設(shè)備對電流的要求就越來越高了。 例 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： iC921 于 2005/11/3 1:25:00 發(fā)布：
好東西 ! |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： zouweitao 于 2005/11/4 11:54:00 發(fā)布：
頂了!!!!!!!!!!!!!!!11 |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： bfxpcb 于 2005/11/4 14:37:00 發(fā)布：
挺難記全的 |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/4 17:30:00 發(fā)布：
上面僅僅談了電容，若有必要，我們將進行總結(jié) |
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| 13樓： | >>參與討論 |
| 作者： yadog 于 2005/11/5 10:53:00 發(fā)布：
re 好dd哦 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： liboyjby 于 2005/11/5 12:42:00 發(fā)布：
真是好東東 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： kanprin 于 2005/11/5 16:02:00 發(fā)布：
摟主辛苦了。 一次發(fā)了那么多，能總結(jié)一下當然最好不過，兄弟們都謝謝你了。 |
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| 16樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/6 16:49:00 發(fā)布：
非常感謝朋友們的支持和幫助。 上面我們只是尋找了一些資料，下面打算按照使用作總結(jié)。 在作總結(jié)之前，借雷風朋友提示的路徑，找到zmlab.com 發(fā)表于 2005-8-6 00:11 模擬技術(shù)的有關(guān)電容的帖子，介紹了電容的內(nèi)核實質(zhì)。這里不再介紹，請朋友們直接到 模擬技術(shù) 欄目中察看該帖。 |
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| 17樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/6 19:51:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則 電容的選用基本規(guī)則 上面已經(jīng)利用轉(zhuǎn)帖，介紹了電容的基本情況和選型原則，只是比較分散、比較凌亂，確實不便于初學者快速掌握。這里打算結(jié)合本人的經(jīng)驗進行總結(jié)，由于時間倉促，沒有校對，若有不對之處，請大家指正。 1． 電容的原理 現(xiàn)在各種電容其實來自于最初的平行板電容，平行板電容的電容量=ε×S / d。 式中，ε—是介電系數(shù)， S—是面積， d—是距離。 從電容量公式可以看出，增加介電系數(shù)、增大面積、減小距離，都可以增大電容。 電容的單位是法拉（F），由于實際單個電容的容量較小，一般采用微法（μF）和皮法（pF）兩個主要單位和毫法（mF）和納法（nF）兩個輔助單位。這些單位制的換算為： 1F = 1000 mF = 1000,000 μF 1μF = 1000 nF = 1000,000 nF 電解電容由于容量較大一些，主要使用毫法（mF）和微法（μF）作單位；其它電容由于容量較小一些，主要使用微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）作單位。 由于平行板電容的容量小，體積大，不適合安裝在電路板上，目前采用多種技術(shù)來減小體積、增大電容量。例如，將平行板2個平面卷繞，增大平行板面積；將平行板進行表面腐蝕，增加表面積；采用耐壓薄膜作為平行板間的隔離介質(zhì)，在保證耐壓的前提下，減小平行板的距離；采用增加電解液來增大介電常數(shù)等等。由于采用的技術(shù)不同，形成了多種類型的電容，每種類型都有不同的特點。目前已經(jīng)制作出5V的法拉級的電容。 |
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| 18樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/6 19:53:00 發(fā)布：
1． 電容的原理 （續(xù) ） 電容上的電荷量Q、電壓V與流過電容的電流I之間有一個比例關(guān)系式： ΔQ = C ×ΔV =Δ I ×Δt 可以推導出： ΔV =Δ I ×Δt / C 上面兩式中，ΔQ—是電容上的電荷，單位庫倫；C—是電容量，單位法拉；ΔV—是電容上的電壓，單位伏特；ΔI—是流過電容的電流，單位安培；Δt—是時間，單位秒。 從上是可以看出，電容上的電荷是逐步累積的，不能突變；對于一個孤立的電容，電容上的電荷等于電容量與電容上的電壓的乘積；對于有電流流過的電容，電容上的瞬時變化增加的電荷量等于流過電容的瞬時電流與單位時間的乘積；對于有電流流過的電容，電容上的瞬時電壓變化等于流過電容的瞬時電流與單位時間的乘積再除以電容量。 由于電容的結(jié)構(gòu)原因，電容不能流過直流，只能通過交流，一般簡稱為隔直通交。 由于電容上的電荷不能突變，在電源上可以作為濾波元件，使得直流電源輸出的波動減��；在電路與電路之間，可以用電容作為交流耦合元件，傳輸交流信號，隔斷電路之間的直流聯(lián)系；在信號處理上，電容與其它元件配合，可以用作信號濾波處理。 |
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| 19樓： | >>參與討論 |
| 作者： sillboy 于 2005/11/7 8:56:00 發(fā)布：
關(guān)注中!!!樓主辛苦了 |
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| 20樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/7 14:44:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 2． 電容的分類及特點 電容由于材料和制造工藝的原因分為多種類型。 其中采用電解液來增大介電常數(shù)的技術(shù)，將電容分為含電解液的電解電容和不含電解液的非電解電容。 |
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| 21樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/7 14:45:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 2．1 電解電容 電解電容由于兼有介電常數(shù)大、卷繞層數(shù)多、電容極板經(jīng)過腐蝕表面積得到極大擴張、電容內(nèi)部極板的距離近的優(yōu)勢，所以具有容量大、有極性、一般內(nèi)部電感較大、高頻特性不好、漏電流較大的特點。 目前常用電解電容主要有鋁電解電容和鉭電解電容（其它種類用量較少），其中鉭電解電容分為固體型和液體型。固體型采用燒結(jié)工藝制作。 鋁電解電容的優(yōu)點是工藝極為成熟、制造成本低，缺點是漏電大、溫度系數(shù)大。一般情況下，鋁電解電容的成本是鉭電解電容的1/3或更低；鋁電解電容的漏電流是鉭電解電容的數(shù)倍以上；鋁電解電容的全溫度范圍的內(nèi)阻變化達到3倍，低溫時內(nèi)阻遠大于同規(guī)格的鉭電解電容，高溫時反而內(nèi)阻小于同規(guī)格的鉭電解電容。 鋁電解電容的安裝方式有直插式和表貼式，其中國內(nèi)主要生產(chǎn)直插式，質(zhì)量不錯。表貼式鋁電解電容最初主要是日本生產(chǎn)，國內(nèi)較少使用，也不生產(chǎn)；國內(nèi)為了配合手機生產(chǎn)，開始大量使用表貼式鋁電解電容，近年國內(nèi)開始生產(chǎn)，不過廠家還不多。 鉭電解電容的生產(chǎn)國內(nèi)十分成熟，從指標和具體應用看，國內(nèi)的產(chǎn)品質(zhì)量確實不錯，完全可以替代進口。表貼式鉭電解電容主要是固體型。 由于直插式電解電容的技術(shù)十分成熟，規(guī)格特別多，形成很多事實標準，沒有統(tǒng)一規(guī)格，這里就不介紹了。 表貼式電解電容的發(fā)展之初就是按照表貼式工業(yè)標準制造，目前主要是B型和C型，A型也已經(jīng)可以供貨。 容量范圍： 直插式電解電容的容量范圍一般從0.47μF~10000μF，超級電容可以達到法拉級。表貼式電解電容的容量范圍一般從0.1μF~330μF。 電容容差： 現(xiàn)代電解電容的電容容差一般在±20%以內(nèi)，很多達到±10%或更精確。 電壓等級： 直插式電解電容的電壓等級一般從6.3V~600V，超級電容一般是5V。表貼式電解電容的電壓等級一般從4V~50V。 電容損耗角： 這個指標差距較大，一般小廠不愿給出。 |
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| 22樓： | >>參與討論 |
| 作者： lxcwx001 于 2005/11/7 16:25:00 發(fā)布：
頂一下!! 頂一下! 支持樓主心情工作!!! |
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| 23樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/7 16:37:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 2．2 非電解電容 本節(jié)參考了中國通訊學會科普讀物研究會主編的《RC電路及其應用》 非電解電容由于介電常數(shù)小、卷繞層數(shù)有限、電容內(nèi)部極板的距離不太近，所以具有容量小、無極性、內(nèi)部電感較小、高頻特性較好、漏電流較小的特點。 目前常用非電解電容主要有瓷片電容、玻璃釉電容、滌綸電容、聚苯乙烯薄膜電容、紙介電容、金屬化電容和云母電容。 紙介電容這種電容的單位體積的電容較大、電容量范圍寬（可達1μF~20μF）、工作電壓高（可達30000V）、成本低而被廣泛應用。缺點是容差較大，損耗角較大（tgδ≤0.01），溫度穩(wěn)定性差。一般用于低頻。 金屬化電容是紙介電容的改進型。在相同體積下，電容量是紙介電容的4倍，音頻損耗較小，特別是擊穿后能夠自愈。 滌綸電容（聚酯電容）是電容量較寬、體積小、耐熱好，但是損耗較大（tgδ<0.01），且隨頻率變化。多用于低頻、對損耗要求不高的地方做旁路和隔直用。 聚苯乙烯薄膜電容是一種優(yōu)質(zhì)電容，絕緣電阻大、損耗小（tgδ<0.0015）、溫度系數(shù)小、耐壓強度高的特點。而且精度可以做到比較高。 瓷片電容分為高頻瓷片電容和低頻瓷片電容。高頻瓷片電容體積小、穩(wěn)定性高、高頻特性好、損耗�。╰gδ<0.0015）、絕緣強度高、結(jié)構(gòu)簡單、還可以做成不同溫度特性的電容。高頻瓷片電容主要用于電子設(shè)備中的高頻電路和高頻高壓電路。低頻瓷片電容具有體積小、榮量大的優(yōu)點，但是穩(wěn)定性差、損耗角較大，主要用于低頻旁路、隔直、以及濾波電路。 云母電容是一種優(yōu)質(zhì)電容，具有穩(wěn)定性高、精度高、絕緣電阻高、損耗小，可以作為小電容的基準。缺點是電容量不易做大。 玻璃釉電容性能也不錯，接近云母電容，但是容量可以做到較大，體積稍大。 以上電容都有直插產(chǎn)品，技術(shù)十分成熟，規(guī)格特別多，形成很多事實標準，沒有統(tǒng)一規(guī)格，這里就不介紹了。 表貼式非電解電容主要是獨石電容和有機電容，目前主要是B型和C型，其它型號也已經(jīng)可以供貨。 容量范圍： 直插式非電解電容的容量范圍一般從1pF~10μF。表貼式非電解電容的容量范圍一般從1pF~4.7μF。 電容容差： 現(xiàn)代非電解電容的電容容差一般在±20%以內(nèi)，很多達到±10%或更精確。 電壓等級： 直插式非電解電容的電壓等級一般從15V~600V。表貼式非電解電容的電壓等級一般從15V~250V。 電容損耗角： 這個指標差距較大，從tgδ<0.0015到tgδ<0.05。 |
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| 24樓： | >>參與討論 |
| 作者： txpg2001 于 2005/11/7 17:07:00 發(fā)布：
樓主辛苦了! |
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| 25樓： | >>參與討論 |
| 作者： zjf96123 于 2005/11/7 21:50:00 發(fā)布：
謝了樓主 收下，慢慢消化 |
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| 26樓： | >>參與討論 |
| 作者： zyc1205 于 2005/11/8 8:38:00 發(fā)布：
GOOD |
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| 27樓： | >>參與討論 |
| 作者： yangpeng 于 2005/11/8 19:12:00 發(fā)布：
啊`~ 學電子這么多年了,感覺自己連基本元件都還不是很清楚 3 Q |
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| 28樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/8 19:18:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 3． 電容的選用 3．1 常用電容的特點和選用原則 對于電解電容來說，鋁電解電容是最普遍的廉價電容，低頻大電流濾波、信號都可以使用。由于工藝的原因，鋁電解電容的損耗角溫度系數(shù)較大，在-55℃~85℃范圍內(nèi)，變化達3倍以上，對于電源濾波有較大影響。從理論上來說，鉭電解電容可以替代鋁電解電容，指標更好一些，特別是損耗角溫度系數(shù)很小，在-55℃~85℃范圍內(nèi)基本不變，但是鉭電解電容的價格是鋁電解電容的數(shù)倍。 所以，在要求不高的地方，盡可能使用鋁電解電容，即使是寬溫情況下，只要PCB空間允許，可以并聯(lián)多個鋁電解電容來解決鋁電解電容的損耗角溫度系數(shù)較大的問題。但是在體積有限制的情況下，鉭電解電容是較好的選擇。另外，在長時間積分電路上，由于鉭電解電容的漏電小，使用更常見。 對于非電解電容來說，目前瓷片電容、金屬化電容和聚酯薄膜電容使用最普遍，其中瓷片電容是廉價電容，廣泛用于電源濾波和信號處理。聚酯薄膜電容作為高級電容，在要求嚴格的地方代替瓷片電容用于電源濾波和信號處理，特別是用于高保真音響電路和要求穩(wěn)定的模擬信號濾波等處理方面。金屬化電容主要用于較高電壓下的電源濾波和信號處理。 |
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| 29樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/8 19:23:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 3．2電源濾波 對于電源濾波，需要分為兩種情況討論，一種是線性電源濾波，另一種是開關(guān)電源濾波。當然對于交流濾波與直流濾波也不同。 線性電源濾波（以橋式整流輸出濾波為例），特點是脈動電流較小，頻率較低，這樣對電容的選用要求稍低一些。這時，即使電容的損耗角較大，由于頻率低、脈動電流較小，電容發(fā)熱不大，沒有影響。濾波電路一般采用電解電容與非電解電容并聯(lián)的方式，其中電解電容濾除低頻交流，非電解電容濾除高頻交流。在工頻常溫下，鋁電解電容的容量與輸出電流的關(guān)系基本可以取每安培1000UF；對于寬溫或是要求紋波較小時，電容量需要成倍增大或是改用LC濾波。 另外，對于線性電源的電容的耐壓方面，一般只需要考慮預留40%即可，對于外部電源電壓波動較大時，需要按照最大電壓來考慮預留耐壓范圍。 開關(guān)電源濾波（以輸出濾波為例），特點是脈動電流較大，頻率較高，這樣對電容的選用要求較高。這時，希望電容的損耗角較小，這樣電容的內(nèi)阻較小，還需要采用多個電容并聯(lián)的辦法，進一步降低內(nèi)阻，這樣對于頻率高、脈動電流較大時，電容發(fā)熱可以控制在一定范圍內(nèi)，沒有影響；同時還要注意采用漏電小的電容，減小溫升。濾波電路一般采用多個電解電容與非電解電容并聯(lián)的方式，其中電解電容濾除低頻交流，非電解電容濾除高頻交流。電解電容的容量需要根據(jù)實際電路計算；對于寬溫或是要求紋波較小時，電容量需要成倍增大或是改動電感參數(shù)。 對于小功率開關(guān)電源，濾波元件的要求可以降低一些，可以通過采用更大容量的電容解決紋波問題。 另外，對于開關(guān)電源的電容的耐壓需要根據(jù)實際計算得到理論值，然后在考慮預留40%即可，對于外部電源電壓波動較大時，需要按照最大電壓來考慮預留耐壓范圍。 若是采用鉭電解電容，需要預留更大的裕量，一般需要達到50%以上。 需要注意的是，耐壓等級的提高對成本影響極大，超過了容量對成本的影響，例如從25V電壓等級提高到35V電壓等級時，成本增加一倍；而由100μF增加為220μF時，成本增加50%，所以不能過分提高電壓等級。 另外，對于大規(guī)模高頻、高速集成電路，對電容的要求較高。例如高速DSP或是FPGA等芯片，它的核電壓一般在1~1.5V之間，允許紋波一般在60mV以內(nèi)；它的IO電壓一般在1.8~3.3V之間，允許紋波一般在360mV以內(nèi)；并且采用數(shù)十個電源腳。這里需要對每個電源腳用一個帖片高頻電容就近濾波。 |
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| 30樓： | >>參與討論 |
| 作者： a12345678 于 2005/11/11 21:21:00 發(fā)布：
電容的選用基本規(guī)則(續(xù)) 3．3 信號處理 在信號處理中，涉及的信號種類和頻率跨度非常大，從直流直到數(shù)十千兆。不同頻段對電容的要求不同，不同信號對電容的要求也不同。為了簡化考慮，本節(jié)僅僅涉及較常用的中低頻部分。 信號處理包含的范圍很大，這里僅僅涉及信號濾波、信號源等等。 對于信號濾波、信號源，一般要求電容的絕緣電阻大、漏電流小、損耗角小、溫度系數(shù)小。電容的絕緣電阻大、漏電流小才能保證理論置于實際值盡可能接近；損耗角小才能保證內(nèi)阻小，盡可能接近理想電容；溫度系數(shù)小才能保證電路參數(shù)穩(wěn)定。 在信號頻率較低，確實需要大于1uF以上的電容時，需要選用電解電容，適當考慮電容的漏電問題，比如限制電容量和限制匹配電阻來減小電容漏電的影響。也可以考慮漏電較小的鉭電容。 當可以不電容小于1uF時，一般選用非電解電容，例如高頻瓷片電容、聚脂薄膜電容等等。這兩種電容的工作頻率范圍相當寬。一般情況下使用瓷片電容，在嚴格要求穩(wěn)定的地方，使用聚脂薄膜電容。 對于多級信號放大器的級間交流耦合電容參考上述規(guī)則進行。 |
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| 31樓： | >>參與討論 |
| 作者： 小狐 于 2005/11/14 16:32:00 發(fā)布：
很棒 很棒！謝謝樓主！ * - 本貼最后修改時間：2005-11-14 16:34:16 修改者：小狐 |
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| 32樓： | >>參與討論 |
| 作者： sdyxm21 于 2005/11/15 12:53:00 發(fā)布：
太好了！ 這樣才好！會的就加深印象，不會的現(xiàn)在有點印象！哈哈！對我很有幫助！ |
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| 33樓： | >>參與討論 |
| 作者： iC921 于 2005/11/15 18:56:00 發(fā)布：
拜托帖一點用做保護作用的正溫度系數(shù)電阻資料 原來沒注意過，可是，急需要看。 |
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| 34樓： | >>參與討論 |
| 作者： LONG1231 于 2005/11/19 16:09:00 發(fā)布：
辛苦啦 |
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| 35樓： | >>參與討論 |
| 作者： lxpshine 于 2005/11/23 16:36:00 發(fā)布：
學習了啊，頂 |
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| 36樓： | >>參與討論 |
| 作者： namineed 于 2005/11/24 21:22:00 發(fā)布：
不錯！ 頂起！！ |
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| 37樓： | >>參與討論 |
| 作者： viaboy 于 2005/11/25 17:12:00 發(fā)布：
強帖呀。 |
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| 38樓： | >>參與討論 |
| 作者： robin_xyd 于 2005/11/25 23:44:00 發(fā)布：
不錯，非常詳細 不錯，關(guān)于電容的資料介紹得非常詳細了 |
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| 39樓： | >>參與討論 |
| 作者： xiaoyuzi 于 2005/11/29 16:03:00 發(fā)布：
謝謝LZ，真的很不錯啊，我看了一下午了 |
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| 40樓： | >>參與討論 |
| 作者： chz112 于 2005/11/30 14:08:00 發(fā)布：
謝謝樓主 |
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| 41樓： | >>參與討論 |
| 作者： c_j82 于 2005/12/19 9:50:00 發(fā)布：
頂 同意雷風同志的意見 |
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| 42樓： | >>參與討論 |
| 作者： balfyni 于 2005/12/19 15:05:00 發(fā)布：
只為頂貼的菜鳥! 永遠不要刪掉此貼．我要經(jīng)常上來看！�。� |
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| 43樓： | >>參與討論 |
| 作者： hhushuxin 于 2005/12/20 18:34:00 發(fā)布：
高手 長知識了，謝謝 |
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| 44樓： | >>參與討論 |
| 作者： jonan_eric 于 2005/12/23 21:02:00 發(fā)布：
摟主辛苦 |
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| 45樓： | >>參與討論 |
| 作者： wzf13 于 2005/12/25 10:05:00 發(fā)布：
講的太好了！ 我正在收藏！ |
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| 46樓： | >>參與討論 |
| 作者： lsw0136 于 2005/12/28 13:09:00 發(fā)布：
還有么？ 還有么？ |
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| 47樓： | >>參與討論 |
| 作者： liulinlei 于 2005/12/29 12:03:00 發(fā)布：
不簡單 |
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| 48樓： | >>參與討論 |
| 作者： diaocheng 于 2005/12/31 15:01:00 發(fā)布：
太好了 太好了，可是，我怎么才能上面的文字單獨存在電腦上 |
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| 49樓： | >>參與討論 |
| 作者： wodwydwy 于 2006/1/4 17:16:00 發(fā)布：
好呀~~~ 支持…… |
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| 50樓： | >>參與討論 |
| 作者： zqz198312 于 2006/1/5 13:05:00 發(fā)布：
如果能簡潔點效果更好 樓主,能總結(jié)一下不?1 |
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| 51樓： | >>參與討論 |
| 作者： cloud_yun 于 2006/1/5 16:22:00 發(fā)布：
弱弱問一下有關(guān)貼片電容的東西 我想問一下貼片電容有條線的是正極嗎？？對于二極管來說有條線的是正極還是負極？謝謝了 |
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| 52樓： | >>參與討論 |
| 作者： tvccadmin 于 2006/1/8 18:58:00 發(fā)布：
對我很有幫助。 |
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| 53樓： | >>參與討論 |
| 作者： ihoooo118 于 2006/1/10 16:45:00 發(fā)布：
謝謝！樓主 |
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| 54樓： | >>參與討論 |
| 作者： limm83 于 2006/1/11 16:14:00 發(fā)布：
cloud_yun ： 貼片電容有線條的當然也一樣了，是負極！ 二極管有線條的也是負極！ |
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| 55樓： | >>參與討論 |
| 作者： 李冬明 于 2006/1/11 17:06:00 發(fā)布：
基本無源元件的知識 樓主,有沒有一些實際案例給我們講講呢? |
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| 56樓： | >>參與討論 |
| 作者： ljf_0807 于 2006/1/13 8:20:00 發(fā)布：
說得詳細 頂一下 |
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| 57樓： | >>參與討論 |
| 作者： Alfred_yan 于 2006/1/18 9:28:00 發(fā)布：
個人觀點 上面介紹的的確不錯，可是我個人認為還少了一些大家都想知道的東西，比如作用是＂濾波＂＂偶合＂等．這些我想學電子的人都應該了解．不過怎么樣通過實際的應用來達到這樣的目的，如何選取電容的類型和值才能達到最佳效果呢？是經(jīng)驗，還是有依據(jù)？我不知道，但很想知道，我想其他和我一樣的菜鳥也很想知道．拜托，不知道哪位大俠可以為此解惑，小弟不盛感激！ |
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| 58樓： | >>參與討論 |
| 作者： gyc198215 于 2006/1/18 12:35:00 發(fā)布：
hao hao\ |
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| 59樓： | >>參與討論 |
| 作者： jz_main 于 2006/1/28 15:57:00 發(fā)布：
感謝樓主 我先收下了，樓主辛苦了 |
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| 60樓： | >>參與討論 |
| 作者： sm_tian 于 2006/2/21 9:22:00 發(fā)布：
濾波電容的選取與通信速度有關(guān)嗎？ 在單片機的旁邊家濾波電容，它的大小和那些因素有關(guān)，是根據(jù)工作頻率來取的大小還是根據(jù)通信速度。我看一般用的是103或104pF的，他是怎么得來的 a12345678的帖子全部看完了，很好很好，期待有其它無源元件的介紹。 |
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| 61樓： | >>參與討論 |
| 作者： 小張 于 2007/7/8 10:46:17 發(fā)布：
請問２２６Ｇ的坦電容字符是多少伏的電容 |
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| 62樓： | >>參與討論 |
| 作者： 小張 于 2007/7/8 10:49:03 發(fā)布：
請問那位先生有這樣的資料關(guān)于坦電容的字母代表伏 |
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| 63樓： | >>參與討論 |
| 作者： 過客 于 2007/8/29 15:13:34 發(fā)布：
樓主：請問陶瓷電容在電路圖中的符號是什么？ |
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