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關于鐵電ram和sram的一點區(qū)別,希望對大家有點幫助

作者:nudtzmh 欄目:技術(shù)交流
關于鐵電ram和SRAM的一點區(qū)別,希望對大家有點幫助
在開發(fā)時用到FM1608時,仔細閱讀了DATASHEET后發(fā)現(xiàn)了一些與6264DS1225(本質(zhì)就是
6264)的不同之處。
6264在讀寫時序上是CS先有效(因為一般是采用高位地址譯碼,而高位地址先于低位地址
有效,低位地址要等ALE的下降沿來進行鎖存),然后在WR,或RD的下降沿鎖存全部高低位
地址,再在其上升沿輸入或輸出數(shù)據(jù)。而1608則有所不同,它是在CS的下降沿鎖存高低位
地址,如果要和原來使用6264的系統(tǒng)兼容,那么在設計譯碼時就要加入ALE信號來控制CS產(chǎn)
生的時間,才能夠鎖存到正確的地址信號。不知道廠家為什么這么設計(不能夠和6264
行五峰的兼容),可能是器件結(jié)構(gòu)的原因吧




2樓: >>參與討論
chunyang
這是其結(jié)構(gòu)上的物理原理限定的
還有一個重大區(qū)別要提醒初學者:鐵電存儲器是一種讀次數(shù)限制的器件,讀的過多會失去非易失特性,所以僅適合做后備,這種特性跟FLASH EEPROM正好相反。

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