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如果把LPC9內(nèi)部的flash用做EEPROM

作者:amenglb 欄目:MCU技術(shù)
如果把LPC9內(nèi)部的FLASH用做EEPROM
如果把LPC9內(nèi)部的FLASH用做EEPROM,一次操作是是不是一定是64字節(jié)?

只想改變一個字節(jié)的話,是還要把原來的內(nèi)容讀出來,再寫回去?

2樓: >>參與討論
amenglb
這里是不是要延時 4ms ?
MOV FMDAT,@R0 ;數(shù)據(jù)寫入頁寄存器
INC R0 ;指向下一個字節(jié)
DJNZ R3,LOAD_PAGE ;一直操作直至編程字節(jié)數(shù)為零
MOV FMCON,#EP ;否則擦除&編程頁


這里是不是要延時 4ms



MOV R7,FMCON ;備份返回的狀態(tài)
MOV A,R7 ;讀狀態(tài)
ANL A,#0FH ;保存低四位
JNZ BAD ;
CLR C ;如果操作無誤,清除錯誤標志
RET ;返回
BAD:
SETB C ;設置錯誤標志
RET ;返回
圖15.2 擦除/編程(部分)頁的匯編程序

3樓: >>參與討論
zlg900
re
1,一次操作不一定是64字節(jié)


2,采用IAP-lite方式,可以做到字節(jié)操作!
http://www.zlgmcu.com/download/downs.asp?id=867

程序中循環(huán)等待   寫完成位置位 , 所以沒有延遲.

對于其他一般的FLASHEEPROM都是需要延遲的.

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