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32768Hz晶體老出問題？ |
| 作者：wenbilin 欄目：單片機(jī) |
我用32768HZ晶體作實時時鐘，可它老出問題。有時上電它不起振，有時又工作正常，有時上電它不起振，等一會它有起振。測OSC2腳上的波形，峰峰值夠，波形畸變嚴(yán)重。后串一電阻180K，無畸變，峰峰值也夠，但問題并沒有解決。 請各位賜教�。保。。。。。� |
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| 作者： systemchip 于 2005/10/23 0:03:00 發(fā)布：
答 晶振兩端接20P的電容了嗎? |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： wenbilin 于 2005/10/23 8:09:00 發(fā)布：
已加20P兩只，臺灣國巨的 謝謝systemchip先生！ |
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| 作者： xieyuanbin 于 2005/10/25 8:42:00 發(fā)布：
應(yīng)該是過激勵引起的. 振蕩方式?應(yīng)該是LP |
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| 5樓： | >>參與討論 |
| 作者： wenbilin 于 2005/10/25 10:16:00 發(fā)布：
Timer1作實時時鐘沒法選擇振蕩模式？！ |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： shiaf 于 2005/10/25 12:50:00 發(fā)布：
震蕩模式在配置字里面，在燒寫的時候配置。 另外 32768 的話微調(diào)電容可不是 20P ，推薦用 56P 以上的。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： wenbilin 于 2005/10/25 13:18:00 發(fā)布：
配置字設(shè)置的是主振蕩？！我的32768晶體的負(fù)載電容是12.5pF?! |
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| 作者： xieyuanbin 于 2005/10/25 16:31:00 發(fā)布：
TMR1的振蕩: 本身就是LP模式.晶體的負(fù)載電容應(yīng)該接在晶體的兩端并且并聯(lián)到地,如果負(fù)載電容是12.5P,那么這兩個電容的容量應(yīng)該是25P. |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： wenbilin 于 2005/10/25 16:46:00 發(fā)布：
不知你用過的32768晶體負(fù)載電容是多大？據(jù)說大都是12.5P,對嗎？ |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： xieyuanbin 于 2005/10/26 8:45:00 發(fā)布：
不好意思,我沒用過. 應(yīng)該是的. * - 本貼最后修改時間：2005-10-26 8:45:47 修改者：xieyuanbin |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： martin 于 2005/10/26 10:18:00 發(fā)布：
晶體負(fù)載電容 不知道你有沒有收到我的郵件，問你的問題沒有得到回復(fù)。記得之前貼過“電容的作用”的帖子已經(jīng)說過，晶體振蕩是一個晶體特征頻率選頻的正反饋振蕩。對單片機(jī)一側(cè)來說，只是提供一個激勵或者叫增益，晶體的衰減，晶體的Q值，電容的容值、ESR、ESL，PCB的分布電容，外來干擾等都是影響振蕩平衡的因素。 振蕩平衡的條件是回路A=1，相位=-180度，任何一個因素影響了這個平衡條件，都可能引起振蕩的不穩(wěn)定。 晶體的負(fù)載電容大小，不是“據(jù)說是多少”，如果你從正規(guī)晶體廠家定購的話，廠家會給你數(shù)據(jù)手冊并告訴你典型負(fù)載電容參數(shù)應(yīng)是多少。當(dāng)然，我知道你現(xiàn)在用的晶體可能沒有這個參數(shù)，但不能因為沒有就相信“據(jù)說”的值，起碼應(yīng)該用不同值的電容來試驗來測定。另，電容并不在意它是國巨的還是哪家的，要你確定的是它必須是瓷片電容。（獨(dú)石電容的ESR特性不適合用于晶體振蕩） 另，市場上晶體品質(zhì)良莠不齊，前面說了，晶體自身的參數(shù)也很大影響振蕩的平衡，可以找?guī)讉�不同廠家的對比觀察一下。 |
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| 作者： 手扶拖拉機(jī) 于 2005/10/26 20:43:00 發(fā)布：
我的一點(diǎn)經(jīng)驗（不知你用的是否帶F的PIC） 一般來說FLASH的單片機(jī)在同等震蕩模式下，用于驅(qū)動晶體的反響器增益要大于同等震蕩模式的OTP單片機(jī)（由于工藝的不同），你所說的情況就如謝斑竹所說是過激勵所導(dǎo)致。 一般來說，我們認(rèn)為增益大會利于晶體的起振，但是在有的情況下，過大的增益反而會帶來相位補(bǔ)償?shù)牟蛔愣绊懢w的起振 。 有兩種辦法可以解決你的問題，一是增大電容的容量，這樣可以達(dá)到減小增益的效果。注意電容不可以太大，否則與晶體的負(fù)載電容偏差太大。 一種是在OSC2與晶體之間加一個40K左右的電阻用來減小增益。 電阻也不可太大，最好不能超過100K，否則會帶來干擾。 如果其中之一解決不了，可以兩者都用上。 |
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| 作者： wenbilin 于 2005/10/27 7:58:00 發(fā)布：
回手扶拖拉機(jī) 多謝手扶拖拉機(jī)指點(diǎn)！ 我用單片機(jī)是PIC16C72A-04I/SP，VDD=5V 如果串40K電阻，波形畸變還是嚴(yán)重。是不是我用的晶體Q值太高了？ 我試過其它幾個產(chǎn)家的晶體也這樣。 晶體的負(fù)載電容是12.5P,我用兩個30P的移相電容，另串30K電阻，波形畸變還是嚴(yán)重。該法較以前改進(jìn)了嗎？ 另該產(chǎn)品用于摩托車。 |
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| 14樓： | >>參與討論 |
| 作者： 手扶拖拉機(jī) 于 2005/10/27 9:03:00 發(fā)布：
你可以加大C1，C2 C1，C2變大時，耗費(fèi)在他們上的能量增大，這樣能夠減小增益。另外你的測試方法沒有問題吧，有時測量方法不對會得到假像。 |
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| 15樓： | >>參與討論 |
| 作者： wenbilin 于 2005/10/27 9:33:00 發(fā)布：
探頭X1檔測波形還可以，用X10測波形畸變嚴(yán)重。結(jié)果哪個對？ |
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