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請(qǐng)教一個(gè)MOSFET的電路??? |
| 作者：dragontan 欄目：電源技術(shù) |
大家好, 如圖,我使用了一個(gè)P溝道的MOS管,SI2301,為什么在柵級(jí)(K1打開)懸空的情 況下, 管子不關(guān)斷呢? J5是大概一個(gè)8V的輸出... ... 書上說, Vgs之間的電壓為0時(shí),管子即關(guān)斷,為什么K1斷開時(shí)不關(guān)斷? 我把R24去掉, 兩端短接,管子就關(guān)斷了... ... 這是為什么? 我該怎么做,還情MOS達(dá)人指點(diǎn).... 小弟叩謝....
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| 作者： dragontan 于 2005/9/27 11:31:00 發(fā)布：
我該怎么做..... 我應(yīng)該怎么做,才能用K1控制J5的12V電壓輸出??? 請(qǐng)指教.... |
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| 作者： asunmad 于 2005/9/27 12:05:00 發(fā)布：
R24、C20的時(shí)間常數(shù)（1ms）太長 K1斷開后幾ms之內(nèi)MOS管可能保幾ms的開啟狀態(tài)。 |
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| 作者： dragontan 于 2005/9/27 14:01:00 發(fā)布：
變成這樣子了... ... (1) K1打開, R24 取10K時(shí),MOS管的3腿(漏極)的電壓為6.5V; R24 取4.7K時(shí),MOS管的3腿(漏極)的電壓為3.5V; R24 取1K時(shí),MOS管的3腿(漏極)的電壓為0.38V; 為什么當(dāng)K1斷開時(shí), Vgs=0, 輸出電壓和R24的大小有關(guān)?? 此時(shí)MOS管應(yīng)該是關(guān)斷的啊.? (2) 我取R24=1K, R25=4.7K, 當(dāng)上電時(shí),MOS管漏極電壓輸出是0V, 但是當(dāng)K1接通一次后, 漏極電壓輸出就一直維持在12V下不來, 是怎么回事?? 我的J5串聯(lián)了一個(gè)200K的電阻, 是不是和這個(gè)有關(guān)系呢??? 這兩個(gè)問題,還情指教啊. |
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| 作者： dragontan 于 2005/9/27 15:29:00 發(fā)布：
關(guān)于問題(1)(2)的解決方法... ... 我發(fā)現(xiàn)如果將接在負(fù)載的200K電阻換個(gè)比較小的電阻,就不會(huì)出現(xiàn)(1),(2)的問題. K1可以正常關(guān)斷/接通MOS管. 這個(gè)問題,怎么解釋???一下.... 叩謝... ... * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-9-27 15:33:14 修改者：dragontan |
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| 6樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/9/27 20:15:00 發(fā)布：
要考慮電容充放電的時(shí)間常數(shù)。 （１）假設(shè)K1先接通充分長的時(shí)間，則MOS管VGS為某個(gè)確定的值VGS1，這時(shí)如果K1斷開，VGS并不立即變?yōu)椋�，而是以放電時(shí)間常數(shù)τ=R24×C20逐漸變小（指絕對(duì)值），如果開關(guān)動(dòng)作較快，則MOS管還沒來得及判斷就又重新開啟了。 （２）K1斷開期間，一方面MOS管從導(dǎo)通到截止需要時(shí)間，另一方面輸出電容上的電荷通過負(fù)載放電需要時(shí)間，如果這個(gè)時(shí)間遠(yuǎn)長于K1開關(guān)頻率，則輸出幾乎是穩(wěn)定的。 |
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| 7樓： | >>參與討論 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/27 21:40:00 發(fā)布：
非常感謝asunmad... ... 如果K1斷開的時(shí)間足夠長, Vgs是可以掉下來的, 負(fù)載的電壓也可以掉下來. 我現(xiàn)在發(fā)現(xiàn)的問題是, (1) 負(fù)載的電阻為200K的時(shí)候, K1打開后(過了足夠長時(shí)間后),MOS管不能關(guān)斷,有漏極電流輸出. (2) 負(fù)載的電阻較小(200R)的時(shí)候,K1打開后(過了足夠長時(shí)間后),MOS管就可以關(guān)斷. (3) 為什么負(fù)載電阻在200K的時(shí)候, MOS管的漏極電流不能完全關(guān)斷呢??? 還情繼續(xù)指教... ... |
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| 8樓： | >>參與討論 |
| 作者： j77 于 2005/9/28 14:23:00 發(fā)布：
不是電流控制？ 管子是電流控制的，其實(shí)K斷開也還是用一點(diǎn)電流。建議R25去掉，可以使控制腳為O。我也不是很了解MOSFET，但用過幾回 |
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| 9樓： | >>參與討論 |
| 作者： oldzhang 于 2005/9/28 23:52:00 發(fā)布：
地線怎么連的 你怎么判斷200K負(fù)載MOS管沒關(guān)斷? 你的輸出端接了470UF 的電容,如果200K負(fù)載,負(fù)載電壓要降下來要近100秒的 電路沒問題,R25可以省略 * - 本貼最后修改時(shí)間：2005-9-28 23:53:52 修改者：oldzhang |
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| 10樓： | >>參與討論 |
| 作者： dragontan 于 2005/9/30 9:30:00 發(fā)布：
To 老張: 你說的非常有道理, 我忘記計(jì)算負(fù)載RC電路的放電時(shí)間了.我本以為,放電時(shí)間不過就是1S之內(nèi)就完成的事情. 沒想到要100S阿?! 現(xiàn)在總算是有些明白了....非常感謝. 至于為什么加了個(gè)R25, 是因?yàn)槲铱吹組OS管(SI2302)的手冊(cè)里有一個(gè)指標(biāo)是Vgs之間的電壓不能超過+/-8V, 所以我在MOS管導(dǎo)通的時(shí)候,加了個(gè)R25分壓, 以限制Vgs之間的壓降,我這么做對(duì)嗎? 其實(shí)我確實(shí)也發(fā)現(xiàn)了不加R25, MOS管也可以正常工作,也不發(fā)燙, 但這樣導(dǎo)通時(shí)Vgs超過了8V, 這是為什么呢? 究竟是加R25合理呢,還是不加R25合理呢? 還請(qǐng)MOS達(dá)人繼續(xù)指教阿!! |
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| 11樓： | >>參與討論 |
| 作者： bott 于 2005/10/8 17:27:00 發(fā)布：
奇怪 是呀，我也看了SI2302的datasheet，Vgs的SPEC就是+/-8V呀，是不是這個(gè)數(shù)字太保守了，實(shí)際要更高一些？ |
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| 12樓： | >>參與討論 |
| 作者： dragontan 于 2005/10/9 16:34:00 發(fā)布：
有同道中人， 那就還請(qǐng)繼續(xù)指教了阿：） |
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