|
|||||||||||
| 技術(shù)交流 | 電路欣賞 | 工控天地 | 數(shù)字廣電 | 通信技術(shù) | 電源技術(shù) | 測控之家 | EMC技術(shù) | ARM技術(shù) | EDA技術(shù) | PCB技術(shù) | 嵌入式系統(tǒng) 驅(qū)動編程 | 集成電路 | 器件替換 | 模擬技術(shù) | 新手園地 | 單 片 機 | DSP技術(shù) | MCU技術(shù) | IC 設(shè)計 | IC 產(chǎn)業(yè) | CAN-bus/DeviceNe |
TO:fzj大俠,向你請教PWM的問題 |
| 作者:ayi 欄目:單片機 |
請問您用PWM調(diào)制來控制可控硅是自己用軟件寫PWM的還是片子本身就有PWM的功能啊(象義隆的459) |
| 2樓: | >>參與討論 |
| 作者: fzj 于 2005/7/25 7:20:00 發(fā)布:
純軟件的當然有硬件支持就更好了 不過不能用到感性負載上. |
|
| 3樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/7/25 8:17:00 發(fā)布:
嚴格地說,PWM不能用在可控硅控制上. 因為可控硅控制必須與被控制電源的頻率嚴格同步,所以可控硅控制如果要用PWM的話必須要求PWM與被控制電源頻率同步,并且相位必須滯后被控制電源相位. 一般都用過零檢測. |
|
| 4樓: | >>參與討論 |
| 作者: ayi 于 2005/7/25 13:27:00 發(fā)布:
望版主指點指點 多謝版主指點,我才剛接觸可控硅,聽說控制它很有難度,不知是不是,我現(xiàn)在所知道的控制可控硅的方法就是檢測過零,然后根據(jù)需要的導(dǎo)通角延時觸發(fā)可控硅.不知在控制時還要注意哪些方面,望版主指點指點. |
|
| 5樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/7/25 16:49:00 發(fā)布:
可控硅控制. 可控硅控制需要關(guān)心它的觸發(fā)電流,維持電流等等,感性負載最好觸發(fā)的時間長一點以保證可靠觸發(fā).我這里有個菲力蒲公司的"可控硅應(yīng)用十大黃金原則",看看很有用處.如果需要的話留下EMAIL地址. |
|
| 6樓: | >>參與討論 |
| 作者: fzj 于 2005/7/25 16:54:00 發(fā)布:
誰說的??? 誰說PWM不能控制可控硅?PWM控制可控硅一樣能和市電同步,如果你知道可控硅工作原理你就不會這么說,無論門極電壓有否可控硅在交流過零時肯定截止,只不過用PWM有一定的電壓誤差,所以說相反如果讓可控硅控制與市電不同步倒更難,至于相位,一般過零檢測都用電壓波形,所以也不必考慮電流波形. 如有不妥, 歡迎批評指正! |
|
| 7樓: | >>參與討論 |
| 作者: fzj 于 2005/7/25 17:03:00 發(fā)布:
說錯了應(yīng)該是不同頻才對,不好意思. |
|
| 8樓: | >>參與討論 |
| 作者: ayi 于 2005/7/26 0:10:00 發(fā)布:
多謝版主 ayi_820904@163.com |
|
| 9樓: | >>參與討論 |
| 作者: ayi 于 2005/7/27 22:29:00 發(fā)布:
那份郵件我還沒收到 版主,那份郵件我還沒收到,麻煩你再給我發(fā)一次,謝謝! |
|
| 10樓: | >>參與討論 |
| 作者: xieyuanbin 于 2005/7/28 11:00:00 發(fā)布:
不好意思出差了兩天 已經(jīng)給你發(fā)過去了. fzj:我不知道你的PWM是如何產(chǎn)生的,所以現(xiàn)在也不好亂說,你能說說你的PWM是個什么概念嗎? 如果是感性負載,電源在過零時仍有觸發(fā)電壓的話感性負載的感應(yīng)電流就有可能會導(dǎo)致可控硅繼續(xù)導(dǎo)通,所以不論作什么東西,我認為觸發(fā)電壓不應(yīng)該在不想可控硅導(dǎo)通的情況下通過過零點. |
|
| 11樓: | >>參與討論 |
| 作者: fzj 于 2005/7/29 18:52:00 發(fā)布:
呵呵 舉列說以周期為1S分辯率為10那么就可分成100MS,200MS---1S的導(dǎo)通時間,其峰值功率很高但是平均功率卻會隨截止時間的加長而減小 我說過PWM調(diào)壓方式之所以不適合感性負載是因為感性負載在可控硅截止時會出現(xiàn)過高的反峰電壓,也并不是因為其電壓電流波形不同步,因為可控硅有一個重要的參數(shù)----斷態(tài)電壓臨界上升率(dlv/dlt),這表示可控硅在額定結(jié)溫和門極無觸發(fā)電壓即開路的情況下從截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通的最低電壓上升率,如果電壓上升過大超出可控硅電壓上升率值就會發(fā)生我們所不希望看到的現(xiàn)象,誤導(dǎo)通,通常我們采取在可控硅T1和T2極并RC吸收網(wǎng)絡(luò),從而來防止可控硅誤動作,利用電容兩端電壓不能突變的原理從而來吸收反峰高壓,串一個電阻起阻尼作用,防止電路中由R,L,C在過渡過程中產(chǎn)生振蕩在電容兩端產(chǎn)生高壓而損壞可控硅,,同時也為電容放電起限流作用. |
|
| 12樓: | >>參與討論 |
| 作者: fzj 于 2005/7/29 18:56:00 發(fā)布:
如有不妥還請各位批評指正,謝謝! |
|
|
|
| 免費注冊為維庫電子開發(fā)網(wǎng)會員,參與電子工程師社區(qū)討論,點此進入 |
Copyright © 1998-2006 www.udpf.com.cn 浙ICP證030469號 |