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求助 |
| 作者：liyun022 欄目：IC設(shè)計(jì) |
我想問一下常說的單晶硅與多晶硅有什么區(qū)別？為什么襯底要用單晶硅，而MOS管的柵極卻要用多晶硅？謝謝 |
| 2樓： | >>參與討論 |
| 作者： asunmad 于 2005/1/12 20:46:00 發(fā)布：
單晶硅是一整個(gè)單晶體，多晶硅是很多小單晶無規(guī)則排列而成。 襯底必須為單晶，因?yàn)镹型和P型多晶之間無法形成整流接觸，用多晶做MOS管的襯底，則源和漏永遠(yuǎn)是通的。 柵必須為多晶，因?yàn)樵谘趸瘜又虾茈y生長出單晶硅（也沒有必要）。 |
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| 3樓： | >>參與討論 |
| 作者： liyun022 于 2005/1/13 13:11:00 發(fā)布：
多謝賜教！ 那么“單晶”是什么意思？為什么多晶硅可以導(dǎo)電，而摻雜后的單晶硅卻不能導(dǎo)電？ |
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| 4樓： | >>參與討論 |
| 作者： computer00 于 2005/1/13 13:23:00 發(fā)布：
看看化學(xué)書把，晶格那章應(yīng)該有講 單晶硅整塊硅就是一個(gè)大大的晶胞。 誰告訴你單晶硅摻雜后不能導(dǎo)電了？ |
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