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K4H510838D-LA2 Datasheet

  • K4H510838D-LA2

  • 512Mb D-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free ...

  • 365.66KB

  • 24頁

  • SAMSUNG   SAMSUNG

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DDR SDRAM 512Mb D-die (x8, x16)
4.0 Pin Description
Preliminary
DDR SDRAM
32Mb x 16
64Mb x 8
V
DD
DQ
0
V
DDQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
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DDQ
DQ
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58
V
SS
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7
V
SSQ
NC
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SSQ
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DDQ
NC
NC
V
SSQ
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REF
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CK
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CK
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A
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A
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9
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8
A
7
A
6
A
5
A
4
V
SS
66Pin TSOPII
(400mil x 875mil)
(0.65mm Pin Pitch)
Bank Address
BA0~BA1
Auto Precharge
A10
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
512Mb TSOP-II Package Pinout
Organization
64Mx8
32Mx16
Row Address
A0~A12
A0~A12
Column Address
A0-A9, A11
A0-A9
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Row & Column address configuration
Rev. 0.3 June. 2005

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